在非平面表面上沉积材料的方法技术

本发明专利技术公开了一种将材料沉积至非平面表面上的方法。该方法通过在非平面衬底沿着加工腔的平移路径移动时旋转该非平面衬底来实施。在非平面衬底沿加工腔旋转并同时移动时，该旋转将该非平面衬底的全部表面区域或任意期望的表面区域部分暴露于沉积加工，从而实现所需的均匀沉积。或者，任意预定的样本均可暴露至非平面衬底的表面上。这种方法可以制造非平面半导体装置，包括但不限于非平面发光二极管、非平面光伏电池等。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种将半导体加工到衬底上的方法，该方法包括：　ａ．提供具有入口和出口的半导体加工腔，其中所述入口和所述出口可操作地允许至少一个衬底穿过；　ｂ．使所述至少一个衬底沿所述平移路径移动穿过所述半导体加工腔；　ｃ．当所述至少一个衬 底沿所述平移路径移动穿过所述半导体加工腔时旋转所述衬底；以及　ｄ．当所述至少一个衬底沿所述平移路径旋转的同时在所述至少一个衬底上进行半导体加工，从而使所述至少一个衬底的至少一部分表面区域暴露于所述半导体加工。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：拉特逊莫拉德，
申请(专利权)人：索林塔有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]