【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
因此，需要一种用于克服如上所述的本领域中的问题的改进方法和装置。附图说明通过举例来说明本专利技术，并且本专利技术不受附图的限制，在附图中相同的附图标记指示类似的元件。附图中的元件仅仅是为了简单和明了而示出的且其不一定按比例绘制。图4是在实现根据本公开的实施方案的毫秒退火方法时使用的亳秒退火强度分布对比用于理解停留时间的距离的图形视图。具体实施例方式本文所述的半导体衬底可以是任何半导体材料或材料的组合，诸如砷化镓、硅锗、绝缘体上硅(SOI)、硅、单晶硅等等，以及上述各项的組合。本文所述的栅极电介质和栅电极可以是诸如氧化物、氮氧化物、氮化物、或高k电介质等栅极材料和任何组合以及多晶硅或金属栅电极或栅电极堆，根据给定半导体器件的应用的要求来选择。在第一毫秒退火之后，用第二毫秒退火来处理半导体器件10，其中所述第二毫秒退火的特征在于高温和短停留时间毫秒退火。所述第二毫秒退火提供源极/漏极扩展区和源极/漏极区的期望活化，其中，同样由附图标记32和34来指示经活化的源极/漏极扩展区和源极/漏极区。应注意的是在用传统退火的活化期间，相应注入区的下表面由于掺杂剂扩散而经受膨...
【技术保护点】
一种形成掺杂区的方法，该方法包括如下步骤： 将掺杂剂注入到半导体衬底中的区域中； 使用激光器在所述区域中执行第一退火，其中： 所述第一退火具有第一温度和第一停留时间；以及 所述半导体衬底在所述第一退火期间相对于所述激 光器移动； 在执行所述第一退火之后使用所述激光器在所述区域中执行第二退火，其中： 所述第二退火具有第二温度和第二停留时间； 所述半导体衬底在所述第二退火期间相对于所述激光器移动；以及 在所述第二退后之后，所述区域被再 结晶，并且所述掺杂剂在所述区域中被活化。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2007-5-31 11/756,1971.一种形成掺杂区的方法，该方法包括如下步骤将掺杂剂注入到半导体衬底中的区域中；使用激光器在所述区域中执行第一退火，其中所述第一退火具有第一温度和第一停留时间；以及所述半导体衬底在所述第一退火期间相对于所述激光器移动；在执行所述第一退火之后使用所述激光器在所述区域中执行第二退火，其中所述第二退火具有第二温度和第二停留时间；所述半导体衬底在所述第二退火期间相对于所述激光器移动；以及在所述第二退后之后，所述区域被再结晶，并且所述掺杂剂在所述区域中被活化。2. 根据权利要求l的方法，其中， 相同。3. 根据权利要求l的方法，其中， 停留时间相同。4. 根据权利要求l的方法，其中， 且所述第二温度是约1325摄氏度。5. 根据权利要求4的方法，其中， 停留时间约为0.8毫秒。所述第 一温度与所述第二温度 所述第 一停留时间与所述第二 所述第一温度是约1325摄氏度， 所述第 一停留时间和所述第二 所述第一温度不同于所述第二6.根据权利要求l的方法，其中， 温度。7. 根据权利要求6的方法，其中，所述第一停留时间不同于所述 第二停留时间。8. 根据权利要求7的方法，其中，所述第一温度在约1200摄氏度 与约1300摄氏度之间，而所述第二温度大于约1300摄氏度。9. 根据权利要求7的方法，其中，所述第一停留时间小于约0.8毫 秒，而所述第二停留时间大于约0.8毫秒。10. 根据权利要求8的方法，其中，所述第一温度是约1275摄氏度， 而所述第二温度是约1375摄氏度。11. 根据权利要求10的方法，其中，所述第一停留时间约为1.2毫 秒，而所述第二停留时间约为0.5毫秒。12. 根据权...
【专利技术属性】
技术研发人员：GS斯宾塞，VP特里维迪，
申请(专利权)人：飞思卡尔半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。