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一种形成掺杂区（３４，３２）的方法，在一个实施方案中，包括将掺杂剂注入到半导体衬底（１２）中的区域（３０，２８）中，通过执行第一毫秒退火来对所述区域进行再结晶，其中，所述第一毫秒退火具有第一温度和第一停留时间，并在对所述区域进行再结晶之后使...
该专利属于飞思卡尔半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过飞思卡尔半导体公司授权不得商用。

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