【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】等离子体辅助合成 本专利技术提供了用于等离子体辅助合成卤化的聚硅烷和聚锗烷的装置和方法。 本专利技术特别有利于通过产生和使用等离子体来等离子体,不同等离子体反应室的适当使用和将选定的等离子体物质分开用在下一个反应步骤中,而辅助SinXn至SiJ(^^),或者GeJn至GenX(^^)形式的卤代硅烷或卤代锗烷反应生成卤化的低聚硅烷和聚硅烷(以 下称为聚硅烷)或者低聚锗烷和聚锗烷(以下称为聚锗烷)。卤代硅烷和卤代锗烷的 不受限制的实例是SiCl4、 SiF4、 GeF4、 GeCl4。 已知的这样的方法,其中在等离子体中由SiCl4和4制备三氯硅烷,如在WO 81/03168 Al中描述的那样。 另外,已知由必需的反应物在等离子体反应器中借助交变电磁场和/或电场产生 等离子体反应混合物,如在DE 10 2005 024 041 Al中描述的那样。 因此,得到一种用于聚硅烷和聚锗烷的等离子体辅助的合成方法,用该方法可以 通过流经不同的反应区和静止区更好地控制各种反应条件。 这通过具有权利要求1技术特征的用于等离子体辅助合成卤化的聚硅烷和聚锗 烷的装置,以及具有权利要求31技术特征的等离子体辅助合成卤化的聚硅烷和聚锗烷的 方法来实现。 在本专利技术的装置中用于等离子体辅助合成聚硅烷或聚锗烷的本专利技术的新方法与 所给出的现有技术的区别在于,在通向等离子体反应器的前室(Vorkammer)中通过电场 和/或交变电磁场的作用将所选的原材料电离并解离,并且将选定的不同的等离子体物质 (Plasmaspezies)从一个或更多个前室导入等离子体反应器中,在那里经历特殊的反 ...
【技术保护点】
用于等离子体辅助合成卤化的聚硅烷和聚锗烷的装置,其特征在于,设置了至少一个等离子体源和用于引导所选择的反应物中的至少一种,卤代硅烷和/或卤代锗烷和/或氢和/或惰性气体,通过等离子体以电离并解离的设备,且设置了至少一个反应区和至少一个静止区。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】DE 2007-3-15 102007013219.2用于等离子体辅助合成卤化的聚硅烷和聚锗烷的装置,其特征在于,设置了至少一个等离子体源和用于引导所选择的反应物中的至少一种,卤代硅烷和/或卤代锗烷和/或氢和/或惰性气体,通过等离子体以电离并解离的设备,且设置了至少一个反应区和至少一个静止区。2. 根据权利要求l的装置,其特征在于,将所述至少一个反应区和/或静止区紧接着所 述至少一个等离子体源和用于引导所选择的反应物中的至少一种的设备布置和/或在它 们的下游布置。3. 根据权利要求1或2的装置,其特征在于,所述至少一个反应区和/或静止区是为了 合成卤化的聚硅烷或聚锗烷而设置的。4. 根据权利要求1或其后的权利要求中任一项的装置,其特征在于,用于所述至少一 种通过所述至少一个等离子体源引导的惰性气体与反应体积中的原材料的混合装置被设 置在等离子体源出口的下游。5. 根据权利要求4的装置,其特征在于,所述反应体积等于或大于等离子体体积。6. 根据权利要求1或其后的权利要求中任一项的装置,其特征在于,设置了所述等离 子体区和/或反应区的空间和/或时间的分布。7. 根据权利要求1或其后的权利要求中任一项的装置,其特征在于,在所述装置中设 置了至少一个借助交变电场运行的等离子体源。8. 根据权利要求7的装置,其特征在于,用所述原材料中的至少一种借助恒定电场形 成所述用于运行的至少一个等离子体源。9. 根据权利要求1或其后的权利要求中任一项的装置,其特征在于,为了优先提取等 离子体物质中的一种并为了导入到所述反应体积中,用原材料之一形成至少一个等离子体 源。10. 根据权利要求1或其后的权利要求中任一项的装置,其特征在于,为了优先提取等 离子体物质中的一种并为了导入到所述反应体积中,形成利用惰性气体运行的至少一个等 离子体源。11. 根据权利要求1或其后的权利要求中任一项的装置,其特征在于,设计在所述至少 一个等离子体源中为了激发和维持气体放电而使用的交变电场具有最高至VHF的频率,优 选lkHz至130MHz,以便借助电容耦合产生等离子体。12. 根据权利要求11的装置,其特征在于,设计在所述至少一个等离子体源中为了激 发和维持气体放电而使用的交变电场具有最高至VHF的频率,以便借助电感耦合产生等离 子体。13. 根据权利要求11或12的装置,其特征在于,为了将交变电场耦合到等离子体体积 和反应体积中而设置适当的介电材料。14. 根据权利要求1或其后的权利要求中任一项的装置,其特征在于,设置至少一个等 离子体源,以便用所述原材料之一并且借助微波辐射而运行。15. 根据权利要求1或其后的权利要求中任一项的装置,其特征在于,在所述至少一个 等离子体源中为了激发和/或维持气体放电而使用的电极与等离子体直接接触。16. 根据权利要求1或其后的权利要求中任一项的装置,其特征在于,所述等离子体源 的电极和/或等离子体室壁和/或反应器壁,优先地反应区和静止区的壁,是用适用于反应的材料覆盖或涂敷的。17. 根据权利要求15或16的装置,其特征在于,所述电极和/或等离子体室壁和/或 反应器壁和/或静止区的壁被调温至工艺适合的温度。18. 根据权利要求1或其后的权利要求中任一项的装置,其特征在于,设置至少一个等离子体源,该等离子体源如此借助脉冲交变电场形成以激发和维持气体放电,使得产生等 离子体区和反应区的交替时间分布。19. 根据权利要求18的装置,其特征在于,形成用于将微波场以脉冲方式辐射到等离 子体室内的等离子体源。20. 根据权利要求18的装置,其特征在于,形成用于将微波场连续地辐射到等离子体 室内的等离子体源。21. 根据权利要求1或其后的权利要求中任一项的装置,其特征在于,在进入到反应区 和/或等离子体室之前设置用于混合原料的前室。22. 根据权利要求1或其后的权利要求中任一项的装置,其特征在于,设置分开的进料 装置,以便在不同的位置上将原材料导入到所述反应区和/或静止区中。23. 根据权利要求1或其后的权利要求中任一...
【专利技术属性】
技术研发人员:N奥尼尔,S霍尔,C鲍赫,G利波尔德,R德尔特舍维,
申请(专利权)人:REV可再生能源投资公司,
类型:发明
国别省市:CH[瑞士]
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