用于膜电解槽的电极制造技术

本发明专利技术涉及一种膜电解槽的电极，其包括有利于在其表面上气体释放和电解液更新的有凹槽的金属支撑物。该支撑物的有凹槽的几何结构可以通过用磨蚀介质以连续操作的方式磨蚀金属片而获得。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于电化学应用的电极，特别涉及用于膜电解槽的在金属支撑物上制备的电极。
技术介绍
在由离子交换膜分隔的电解槽中进行的电解工艺是最相关的工业电化学应用之 一。这种应用的一些实例是碱金属氯化物盐水的电解(氯碱电解)，尤其参见用于生产氯和 苛性钠的氯化钠盐水的电解以及盐酸溶液的电解。 在以下描述中，将把氯化钠电解作为在整个生产方面最具代表性的实例，但是不 应当理解为本专利技术只限于这种应用。 在膜氯碱电解中，利用离子交换膜将电解槽的阳极室与阴极室分隔开。给电解槽 的阳极室供应例如浓度为约300g/l的氯化钠盐水；在通常不超过4kA/m2的电流密度下，氯 析出(evolution)发生在阳极表面，而盐水由此被消耗且出口浓度降至通常在200到220g/ l之间。通过电场将钠离子输送穿过膜而到达阴极室，在那里生成重量百分比浓度通常不高 于33%的碱性产物。然后在电解槽外通过蒸发来提取和浓縮碱性产物。还在阴极表面上 发生氢析出。要求降低资本投资使得要设计在更高电流密度下运行的装置事实上，较老的 装置通常在3kA/m2下工作，而那些较新的结构在约5kA/m2下运行。装置设计的当前趋本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于膜电解槽的电极，包括金属基底，其具有至少一个配置有多个局部平行凹槽的表面，所述凹槽的深度范围是０．００１－０．１ｍｍ，相邻凹槽间的距离范围是０．１－０．５ｍｍ。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】IT 2007-5-15 MI2007A000980一种用于膜电解槽的电极，包括金属基底，其具有至少一个配置有多个局部平行凹槽的表面，所述凹槽的深度范围是0.001-0.1mm，相邻凹槽间的距离范围是0.1-0.5mm。2. 根据权利要求1所述的电极，其中所述凹槽的所述深度范围是0. 005-0. 02mm。3. 根据权利要求1或2所述的电极，其中所述凹槽沿整个表面基本上平行。4. 根据权利要求1或2所述的电极，其中所述局部平行凹槽彼此交叉。5. 根据前述权利要求中的任何一个所述的电极，其中所述基底的材料选自由钛及其合 金、镍及其合金、不锈钢组成的组。6. 根据前述权利要求中的任何一个所述的电极，其中所述基底具有选自由穿孔板或多 孔板、网状结构和百叶窗式结构组成的组中的几何结构。7. 根据前述权利要求中的任何一个所述的电极，进一步包括在提供有凹槽的所述表面 上施加的催化涂层。8. 根据权利要求7所述的电极，其中所述催化涂层包括贵金属或其氧化物。9. 一种电解槽，包括至少一个根据前述权利要求所述的电极，所述电极与离子交换膜 直接接触。10. 根据权利要求9所述的电解槽，其中所述至少一个电极被装配成沿整个表...

【专利技术属性】
技术研发人员：A欧塔维尼，L卡雷廷，DF迪佛朗格，C莫加纳，M佩里戈，
申请(专利权)人：德诺拉工业有限公司，
类型：发明
国别省市：IT[意大利]