【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体制造，尤其是涉及一种半导体结构及其制备方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的不断发展，集成电路后段制造工艺逐渐向高集成度和高性能方向演进。在集成电路后段制造工艺中，相较于传统铝互连工艺，铜互连工艺具有更低的电阻率和更好的抗电迁移性能，能够有效降低信号传输延迟，提升器件性能。然而，随着半导体器件特征尺寸的不断缩小，特别是进入深亚微米阶段后，寄生电容对信号延迟和串扰的影响日益显著。为满足高性能集成电路芯片的要求，采用铜互连工艺，并在金属层间填充低介电常数材料，能够有效减少寄生电容的影响。
2、在铜互连工艺中，大马士革(damascene)工艺是目前主流的铜线制造方法，然而该工艺中完成对铜线的cmp(chemical mechanical polishing，化学机械抛光)工艺后，在后续热制程过程中容易出现铜丘状凸起缺陷，铜的凸起缺陷严重影响了器件的电气性能和稳定性。造成丘状凸起缺陷的原因主要在于铜晶粒在后续热制程过程中，由于热胀冷缩产生的残余应力导致铜线局部区域发生形变，进而造成了丘状凸起缺陷。由于铜丘状凸起缺陷...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，去除位于所述第一阻挡层上的布线层以及所述第一阻挡层，包括以下步骤：
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在对所述布线层进行退火处理的步骤中，退火温度为350℃～400℃。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在对所述布线层进行退火处理的步骤中，退火时间为3min～5min。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，对所述布线层进行退火处理之后，还
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，去除位于所述第一阻挡层上的布线层以及所述第一阻挡层，包括以下步骤：
3.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在对所述布线层进行退火处理的步骤中，退火温度为350℃～400℃。
4.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，在对所述布线层进行退火处理的步骤中，退火时间为3min～5min。
5.根据权利要求1所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，对所述布线层进行退火处理之后，还包括以下步骤：
6.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘聪，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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