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本申请属于半导体制造技术领域，提供一种半导体结构及其制备方法，制备方法包括：提供一半导体基底，半导体基底的一侧具有介电层；于介电层上形成第一阻挡层和沟槽，第一阻挡层覆盖介电层，沟槽贯穿介电层和第一阻挡层；于第一阻挡层上形成布线层，并使布线层...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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