一种监控半导体工艺腔体温度的方法技术

本发明专利技术提供一种监控半导体工艺腔体温度的方法，包括以下步骤：S1：提供一个监控工艺腔体状况的监控工艺程式；S2：选取监控工艺温控输出曲线，计算每一个监控工艺温控输出曲线各步骤稳定后输出温度平均值avg<subgt;s</subgt;、标准差σ<subgt;s</subgt;，基于每个avg<subgt;s</subgt;计算该周期内所有监控工艺温控输出曲线各步骤总平均值avg<subgt;0</subgt;和标准差σ<subgt;0</subgt;并计算不稳定时间T<subgt;s</subgt;，得到样本数据；S3：剔除样本数据中的异常数据，得到汇总数据；S4：根据汇总数据及计算规则，分别计算得到各步骤不稳定时间T、最大平均值、最小平均值、平均标准差、最大标准差，得到管控数据；S5：根据管控数据设定管控规则，监测工艺腔体温度。实现对生产过程温控输出高敏感和低误报率监控。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体，具体涉及一种监控半导体工艺腔体温度的方法。

技术介绍

1、半导体生产过程中，工艺腔体各部件的温度会影响其中的工艺过程，因此温度控制非常重要。随着生产工艺发展，需要精确控温的部件越来越多，对温度的控制要求也越来越高。主动温控方法是温度传感器得到的数据反馈至调温系统，实时调整冷却、加热的输出，保证部件达到目标温度，温度传感器由于其位置关系，测量数据要与实际部件、产品温度定期校准。生产过程中监控的温度数据包括直接测量温控目标的数据、温度传感器测量数据以及温控系统输出数据。其中，直接测量温控目标的数据直接准确，但非实时数据时效性低；温度传感器数据直观，实际生产中能监控到大部分异常，但自身或温度传导出现特定问题时，可能会发生系统自激错误控制输出使得传感器数据达标但实际温度偏离的状况；温控系统输出数据为间接数据，受整个温度控制回路中多项因素影响，理论上可以监控到更大范围异常，在实际生产中，温度传感器测量数据没有发现的温度异常，可通过温控系统输出数据异常发现。但由于其影响因子多，噪声大，难以直接制定报警规则。

2、实际生产的不同步骤中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种监控半导体工艺腔体温度的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的监控半导体工艺腔体温度的方法，其特征在于，步骤S1中，所述监控工艺程式需同时满足：正常生产过程中使用；具有正常生产所使用的正常温控的温度范围的步骤；控片来源固定或为无晶圆的工艺程式。

3.根据权利要求1所述的监控半导体工艺腔体温度的方法，其特征在于，步骤S2中，选取的所述监控工艺温控输出曲线需满足以下条件：监控工艺温控输出曲线与产品温控输出曲线的对应步骤的输出曲线的平均值差距小于10％；工艺腔体温控输出曲线稳定后的时间大于10s。

4.根据权利要求1所述的监控半导...

【技术特征摘要】

1.一种监控半导体工艺腔体温度的方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的监控半导体工艺腔体温度的方法，其特征在于，步骤s1中，所述监控工艺程式需同时满足：正常生产过程中使用；具有正常生产所使用的正常温控的温度范围的步骤；控片来源固定或为无晶圆的工艺程式。

3.根据权利要求1所述的监控半导体工艺腔体温度的方法，其特征在于，步骤s2中，选取的所述监控工艺温控输出曲线需满足以下条件：监控工艺温控输出曲线与产品温控输出曲线的对应步骤的输出曲线的平均值差距小于10％；工艺腔体温控输出曲线稳定后的时间大于10s。

4.根据权利要求1所述的监控半导体工艺腔体温度的方法，其特征在于，步骤s2中，所述监控工艺温控输出曲线可选取自单一腔体在单一保养周期内的监控工艺温控输出曲线。

5.根据权利要求1所述的监控半导体工艺腔体温度的方法，其特征在于，步骤s2中，所述监控工艺温控输出曲线可选取自一个或多个腔体在一个或多个保养周期的监控工艺温控输出曲线。

6.根据权利要求1所述的监控半导体工艺腔体温度的方法，其特征在于，步骤s3中，所述异常数据剔除方式为：基于所述样本数据中各步骤的总平均值avg0与标准差σ0，确定上下限为avg0±3σ0，超出所述上下限的数据为所述异常数据。

7.根据权利要求1所述的监控半导体工艺腔体温度的方法，其特征在于，步骤s4中，所述计算规则包括：步骤a.分别计算所述汇总数据中各步骤的avgs的平均值avgs1和标准差σs1，确定σs1...

【专利技术属性】
技术研发人员：李刚，
申请(专利权)人：重庆芯联微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：