一种选择性接触结构背结太阳能电池及其制备方法技术

一种选择性接触结构背结太阳能电池及其制备方法。所述的制备方法包括采用通过PECVD原位掺杂方式在硅片背面内部形成PN结，并在硅片背面形成掺硼P型多晶硅层；通过PECVD原位掺杂方式结合机械掩膜图形化在所述硅片正面成掩膜区和非掩膜区，并在非掩膜区的叉指状栅线的区域形成掺磷N型多晶硅层，在硅片背面的栅线区域实现选择性钝化接触结构；对硅片清洗、沉积保护层和制备电极，制得所述电池。通过PECVD原位掺杂技术在硅片的背面形成PN结，可降低成本。采用PECVD原位技术和机械掩膜的方式在硅片正面实现N型非晶硅叉指状栅线图形的选择性钝化接触结构。可降低电池的接触电阻，提高开路电压和短波响应以及电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池，尤其涉及一种采用管式pecvd方式制备的选择性钝化接触结构的背结太阳能电池及其制备方法。

技术介绍

1、目前，晶硅电池市场以n型topcon电池为主，传统topcon电池多由低压化学气相沉积(lpcvd low pressure chemical vapor deposition)制备，这是一种经典的制备方法，多年的发展使得这一技术的成熟度很高，其工艺简单，容易制备。但是作为一种气相沉积技术，即使采用将两片硅片叠放在一起加工的方式，仍会在另一面以及侧面沉积产物，即产生“绕镀”。由于电池两面沉积的材料性质完全相反，所述的绕镀会导致漏电以及电池性质下降。所以若是要使用lpcvd制备双面n型topcon结构电池，就必须反复制备掩膜(mask)以及去除掩膜，这使得制备工艺繁琐，耗时增加，成本提高。另外，现有技术是通过高温硼扩散的方式制备n型topcon电池，即硼是在电池的正面被扩散到电池中形成pn结的，所以电池的上面是p而下面是n。因为硼扩散温度高，少子寿命复合大，掺杂难度大，扩散后方阻高，导致金属区域接触电阻大，电池转换效率不理想。...

【技术保护点】

1.一种采用PECVD制备选择性接触结构的背结太阳能电池的制备方法，步骤如下：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2中所述非掩膜区的栅线状图形为叉指状栅线状图形。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，在920℃-1050℃下进行所述的高温退火30min。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2中，在920℃下进行高温退火35min。

5.一种采用PECVD制备选择性接触结构的背结太阳能电池的制备方法，步骤如下：

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1中所述非...

【技术特征摘要】

1.一种采用pecvd制备选择性接触结构的背结太阳能电池的制备方法，步骤如下：

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2中所述非掩膜区的栅线状图形为叉指状栅线状图形。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1中，在920℃-1050℃下进行所述的高温退火30min。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2中，在920℃下进行高温退火35min。

5.一种采用pecvd制备选择性接触...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国庆，张勇，居瑞智，张明珠，
申请(专利权)人：深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：