【技术实现步骤摘要】
本申请实施例涉及半导体制备，具体涉及一种半导体结构制作方法、半导体结构、电子器件及电子设备。
技术介绍
1、环栅晶体管(gate all around，简称gaa)因其具有较高控制能力已经得到较为普遍的应用。环栅晶体管包括交替层叠设置的多个栅极层和多个沟道层，沟道层的一端与源极结构连接，沟道层的另一端与漏极结构连接，沟道层中与源极结构和漏极结构接触的部分厚度较小，导致沟道层与源极结构和漏极结构之间的电阻较大。
技术实现思路
1、本申请实施例提供一种半导体结构制作方法、半导体结构、电子器件及电子设备，可以减小沟道层与源极结构和漏极结构之间的电阻。
2、第一方面，本申请实施例提供一种半导体结构制作方法，包括：在衬底上形成堆叠结构，堆叠结构包括交替层叠设置的多个牺牲层和多个沟道层；在堆叠结构上形成多个虚栅结构，多个虚栅结构间隔的设置；在各虚栅结构上形成第一掩膜层，第一掩膜层覆盖在虚栅结构与堆叠结构相邻的侧壁上；在第一掩膜层上形成第二掩膜层；以第二掩膜层为掩膜去除部分堆叠结构，以形成多...
【技术保护点】
1.一种半导体结构制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构制作方法，其特征在于，在所述第一掩膜层上形成第二掩膜层之前还包括：
3.根据权利要求1或2所述的半导体结构制作方法，其特征在于，去除所述第一凹槽槽壁处的部分所述牺牲层，以形成空隙包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构制作方法，其特征在于，以所述第一掩膜层为掩膜形成延伸至所述衬底的第二凹槽包括：
5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构制作方法，其特征在于，去除所述第二掩膜层之前还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构制作方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构制作方法，其特征在于，在所述第一掩膜层上形成第二掩膜层之前还包括：
3.根据权利要求1或2所述的半导体结构制作方法，其特征在于，去除所述第一凹槽槽壁处的部分所述牺牲层，以形成空隙包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构制作方法，其特征在于，以所述第一掩膜层为掩膜形成延伸至所述衬底的第二凹槽包括：
5.根据权利要求1-4任一项所述的半导体结构制作方法，其特征在于，去除所述第二掩膜层之前还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构制作方法，其特征在于，在所述空隙内形成填充体包括：
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