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一种半导体结构制作方法、半导体结构、电子器件及电子设备，旨在解决沟道层与源极结构和漏极结构之间的电阻较大的技术问题，该半导体结构制作方法，在形成空隙的同时会将牺牲层接触的部分沟道层去除，导致空隙对应的沟道层厚度减小，而形成第二凹槽时，会将空...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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