【技术实现步骤摘要】
公开的示例实施例涉及磁性存储器装置和制造磁性存储器装置的方法，具体地，涉及包括磁性隧道结的磁性存储器装置和制造包括磁性隧道结的磁性存储器装置的方法。
技术介绍
1、已需要高速和/或低电压的半导体存储器装置来实现电力消耗电子装置。已开发磁性存储器装置以满足这些需求。磁性存储器装置具有高速操作的特性和/或非易失性的特性。
2、随着电子工业的发展，已经越来越需要高集成的和/或低功耗磁性存储器装置。因此，正在对能够满足需求的磁性存储器装置进行各种研究。
3、在该
技术介绍
部分中公开的信息在实现本申请的实施例的处理之前或期间已经为专利技术人所知或由专利技术人得出，或者是在实现实施例的处理中获得的技术信息。因此，该
技术介绍
部分可能包含不构成公众已知的现有技术的信息。
技术实现思路
1、一个或多个示例实施例提供了一种具有改善的电特性的磁性存储器装置和制造磁性存储器装置的方法。
2、另外的方面将在下面的描述中部分地阐述，并且部分地将从描述中是清楚的，或者可通过实践所呈现的
【技术保护点】
1.一种磁性存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的磁性存储器装置，其中，下电极、磁性隧道结图案和上电极中的每个包括金属材料，并且
3.根据权利要求2所述的磁性存储器装置，其中，金属氧化物包括钛、钽、铂、钯、铜、钨、钼、钌、钴、铁、镍、锆、铜、铱和铑中的至少一种的氧化物。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的磁性存储器装置，还包括：保护绝缘层，在层间绝缘层的上表面上，
5.根据权利要求4所述的磁性存储器装置，其中，层间绝缘层包括氧化硅，并且
6.一种磁性存储器装置，包括：
7.根据权利要求6...
【技术特征摘要】
1.一种磁性存储器装置，包括：
2.根据权利要求1所述的磁性存储器装置，其中，下电极、磁性隧道结图案和上电极中的每个包括金属材料，并且
3.根据权利要求2所述的磁性存储器装置，其中，金属氧化物包括钛、钽、铂、钯、铜、钨、钼、钌、钴、铁、镍、锆、铜、铱和铑中的至少一种的氧化物。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的磁性存储器装置，还包括：保护绝缘层，在层间绝缘层的上表面上，
5.根据权利要求4所述的磁性存储器装置，其中，层间绝缘层包括氧化硅，并且
6.一种磁性存储器装置，包括：
7.根据权利要求6所述的磁性存储器装置，其中，在层间绝缘层的上表面上的每单位面积的金属氧化物的第一量高于在数据存储结构的所述至少一个侧表面上的每单位面积的金属氧化物的第二量。
8.根据权利要求6所述的磁性存储器装置，其中，下电极、磁性隧道结图案和上电极中的每个包括金属材料，并且
9.根据权利要求6所述的磁性存储器装置，其中，在数据存储结构的所述至少一个侧表面上的每单位面积的金属氧化物的量在第一方向上从下电极的侧表面至上电极的侧表面增大，第一方向垂直于第二方向，第二方向平行于基底的上表面。
10.根据权利要求6至9中的任一项所述的磁性存储器装置，还包括：
11.一...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴正宪，金哲，金亨容，朴眞好，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。