【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于晶圆检测，尤其涉及一种晶圆表面污染缺陷检出方法及装置。
技术介绍
1、晶圆表面污染缺陷检测是半导体制造过程中至关重要的一环，主要目的是检测晶圆表面的污染情况，以确保芯片制造的质量和最终产品的性能。污染缺陷包括颗粒污染、划痕、裂纹等，这些缺陷会对芯片制造及最终产品性能产生重大影响。
2、暗场检测是一种用于检测晶圆表面缺陷的方法，其工作原理是依靠一束激光从侧上方照射在晶圆表面，然后用探测器收集散射光转成图像信号。由于晶圆表面的反射光被回避，只有缺陷处的散射光能够到达探测器，因此缺陷处会显得较亮，而其他无缺陷的地方则显得较暗。由于暗场检测对散射光的敏感度高，因此对于检测微小的表面缺陷非常有效。
3、当前暗场检查流程面临一大挑战在于，晶圆表面的洁净度标准与良率要求各异，导致所需检测的缺陷和脏污尺寸范围宽泛，这对检测系统和算法的极限灵敏度提出了较高要求。此外，晶圆制作工艺的多样性进一步增加了检测难度。暗场成像技术虽然可得到的晶圆散射强度图片，但图片背景信号(haze)变化幅度较大，这种大幅度的动态范围往往掩...
【技术保护点】
1.一种晶圆表面污染缺陷检出方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆表面污染缺陷检出方法，其特征在于，对目标晶圆进行暗场拍摄，获取晶圆表面的暗场图像。
3.根据权利要求1所述的晶圆表面污染缺陷检出方法，其特征在于，所述SNR估计图的获取方法为：
4.根据权利要求1所述的晶圆表面污染缺陷检出方法，其特征在于，所述SNR估计图的获取方法为：
5.根据权利要求3或4所述的晶圆表面污染缺陷检出方法，其特征在于，所述SNR估计值的计算式为：
6.根据权利要求5所述的晶圆表面污染缺陷检出方法，其特征在于，像...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆表面污染缺陷检出方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的晶圆表面污染缺陷检出方法，其特征在于，对目标晶圆进行暗场拍摄，获取晶圆表面的暗场图像。
3.根据权利要求1所述的晶圆表面污染缺陷检出方法，其特征在于，所述snr估计图的获取方法为：
4.根据权利要求1所述的晶圆表面污染缺陷检出方法，其特征在于，所述snr估计图的获取方法为：
5.根据权利要求3或4所述的晶圆表面污染缺陷检出方法，其特征在于，所述snr估计值的计算式为：
6.根据权利要求5所述的晶圆表面污染缺陷检出方法，其特征在于，像素邻域的背景噪声均值取值为：像素邻域中所有像素的灰度中值，或像素邻域中所有像素的灰度平均值，或通过二次std均值估计算法计算。
7.根据权利要求6所述的晶圆表面污染缺陷检出方法，其特征在于，利用二次std均值估计算法计算的步骤为：
8.根据权利要求6所述的晶圆表面污染缺陷检出方法，其特征在于，像素邻域的背景噪声幅值取值为：（像素邻域的灰度中值-像素邻域的灰度最小值）×2，或通过6std算法计算。
9.根据权利要求8所述的晶圆表面污染缺陷检出方法，其特征在于，利用6std算法计算的步骤为：
10.根据权利要求3或4所述的晶圆表面污染缺陷检出方法，其特征在于，通过增大...
【专利技术属性】
技术研发人员：张龙，刘琦然，赵康俊，杜爽，吕肃，陈鲁，
申请(专利权)人：深圳中科飞测科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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