【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体，特别涉及一种受激辐射的晶圆检测装置。
技术介绍
1、在半导体芯片制造流程中，晶圆检测与量测处于不可或缺的地位，对于控制产品良率、提升生产效率、降低生产成本至关重要。晶圆量检测多处于前道，在复杂的制造工艺环节中，用以检测每一步工艺后产品的加工参数是否达到设计要求，并且检查晶圆表面或多层中是否存在影响良率的缺陷，确保良率控制在规定指标范围内。现有量检测设备包含但不限于薄膜厚度量测、关键尺寸量测、光刻校准量测、图形缺陷检测设备。且近年来，前道量检测市场中，检测设备需求量占比一直处于偏高的状态，所以专注于检测技术核心竞争力、突破技术瓶颈、发展新机遇，可在半导体产业链中实现可持续性发展。
2、针对半导体晶圆缺陷检测，主流明暗场成像方法的检测图像会同时呈现出目标层金属和光刻胶，且金属组织结构及光刻胶掺杂成分均呈现斑驳特征(图1)，由此对目标特征识别及判断产生严重障碍。
3、光刻胶为光敏材料，其主要成分之一感光剂具有光致发光效应。然而，由于光致发光激发出的荧光能量较弱(约为激发光的10-4～10-6)、发光时...
【技术保护点】
1.一种受激辐射的晶圆检测装置，其特征在于，包括激发光源、第一照明镜组、第二照明镜组、光束分离元件、物镜及相机；
2.如权利要求1所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述激发光源出射的激发光束的波长能够被配置，所配置的波长与所述晶圆表面材料的受激特性相适配。
3.如权利要求1所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述第一照明镜组包括准直透镜组及匀光棒，所述准直透镜组用于对所述激发光源出射的激发光束进行准直以形成准直光束，所述匀光棒用于对入射的所述准直光束进行匀光及形状调制以形成均匀的整形光束。
4.如权利要求3所述的晶圆检测装置，其特征在于，...
【技术特征摘要】
1.一种受激辐射的晶圆检测装置，其特征在于，包括激发光源、第一照明镜组、第二照明镜组、光束分离元件、物镜及相机；
2.如权利要求1所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述激发光源出射的激发光束的波长能够被配置，所配置的波长与所述晶圆表面材料的受激特性相适配。
3.如权利要求1所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述第一照明镜组包括准直透镜组及匀光棒，所述准直透镜组用于对所述激发光源出射的激发光束进行准直以形成准直光束，所述匀光棒用于对入射的所述准直光束进行匀光及形状调制以形成均匀的整形光束。
4.如权利要求3所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述匀光棒的截面尺寸能够被调整，通过调整所述匀光棒的截面尺寸以对所述准直光束的尺寸进行调整，形成矩形截面的整形光束。
5.如权利要求3所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述第一照明镜组还包括设置于所述准直透镜组及匀光棒之间的复眼透镜，所述复眼透镜用于对经所述准直透镜组准直形成的准直光束的数值孔径进行调节并进行匀光，再入射至所述匀光棒。
6.如权利要求5所述的晶圆检测装置，其特征在于，所述复眼透镜包括若干个小透镜的组合，能够提高光能利用率和均匀照明性能。
7....
【专利技术属性】
技术研发人员：陈鲁，张鹏斌，刘杨杨，刘健鹏，刘玉东，
申请(专利权)人：深圳中科飞测科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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