【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，特别是涉及一种监控光刻胶残渣缺陷的方法。
技术介绍
1、随着技术节点的提升，缺陷对于良率的影响也越专利技术显，很多之前节点未产生影响的缺陷都在工艺提升后转化为致命缺陷(killer defect)。在进一步提升28hk产品良率时，发生在ldd loop等涉及离子注入的工序出现了光阻未按设计要求打开的问题，此残渣缺陷(scum defect)会对离子注入的效果参数产生重大影响，且多出现在cd较小的区域，对缺陷的检测带来了巨大的挑战。
2、现有方法一般是在晶圆上随机抽样缺陷检测(sampling defect review)，或者根据care area来进行检测。然而，光刻胶残渣(pr scum)的信号与nuisance信号相差不大，采用常规方法扫描会使缺陷数量(defect count)变高，随机的抽样可能会丢失一些缺陷，或对缺陷严重程度造成一定误判。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种监控光刻胶残渣缺陷的方法，用...
【技术保护点】
1.一种监控光刻胶残渣缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的监控光刻胶残渣缺陷的方法，其特征在于，对所述抽样缺陷信息进行分类的方法包括：利用包括各种缺陷信息的klarf文件与所述抽样缺陷信息进行比对以实现对所述抽样缺陷信息的分类。
3.根据权利要求2所述的监控光刻胶残渣缺陷的方法，其特征在于，将所述klarf文件上传至扫描机台，并利用人工方法实现对所述抽样缺陷信息的分类。
4.根据权利要求1所述的监控光刻胶残渣缺陷的方法，其特征在于，光刻胶显开较小的区域为关键尺寸小于250nm且大于0nm的区域。
<...【技术特征摘要】
1.一种监控光刻胶残渣缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的监控光刻胶残渣缺陷的方法，其特征在于，对所述抽样缺陷信息进行分类的方法包括：利用包括各种缺陷信息的klarf文件与所述抽样缺陷信息进行比对以实现对所述抽样缺陷信息的分类。
3.根据权利要求2所述的监控光刻胶残渣缺陷的方法，其特征在于，将所述klarf文件上传至扫描机台，并利用人工方法实现对所述抽样缺陷信息的分类。
4.根据权利要求1所述的监控光刻胶残渣缺陷的方法，其特征在于，光刻胶显开较小的区域为关键尺寸小于250n...
【专利技术属性】
技术研发人员：桑小东，
申请(专利权)人：上海华力集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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