【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体制造，涉及一种光刻掩膜版、制备方法及改善光刻机镜头过热的方法。
技术介绍
1、半导体集成电路制造工艺是一个复杂且高度精密的过程，涵盖了多个关键步骤和技术，其中，光刻工艺起着致关重要的作用，随着半导体元件集成度的提高，半导体元件的线宽要求越来越小，关键尺寸(critical dimension，cd)的控制也越来越重要，对光刻工艺过程中掩膜版的套刻精度稳定性要求也越来越高。
2、掩膜版是光刻工艺中所使用的图形母版，其由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜图形，并通过曝光将图形转印到产品基板上。在半导体集成电路制造工艺过程中，掩膜版的功能类似于传统相机的“底片”，用于将设计好的电路图案通过光刻工艺转移到基板上。
3、如图1所示，在进行光刻工艺时，当光源100发出的入射光透过掩膜版200打在光刻机镜头300上对基板400进行光刻时，光刻机镜头300也会吸收一部分光的能量，在经过较高能量和较长时间的曝光后，光刻机镜头300的温度会升高，使得光刻机镜头300发生轻微的形变，从而基板400上形成的套刻精度...
【技术保护点】
1.一种光刻掩膜版，其特征在于，所述光刻掩膜版包括：
2.根据权利要求1所述的光刻掩膜版，其特征在于：所述透光吸热层包括光固化辐射制冷薄膜，所述光固化辐射制冷薄膜包括TCDDA薄膜或DPHA薄膜中的一种或叠层。
3.根据权利要求1所述的光刻掩膜版，其特征在于：所述透光吸热层位于所述透光基板与所述掩膜层之间，且覆盖所述透光基板；或所述透光吸热层填充所述曝光区且包覆所述掩膜层。
4.一种光刻掩膜版的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的光刻掩膜版的制备方法，其特征在于：形成的所述透光吸热层还包覆所述掩
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【技术特征摘要】
1.一种光刻掩膜版，其特征在于，所述光刻掩膜版包括：
2.根据权利要求1所述的光刻掩膜版，其特征在于：所述透光吸热层包括光固化辐射制冷薄膜，所述光固化辐射制冷薄膜包括tcdda薄膜或dpha薄膜中的一种或叠层。
3.根据权利要求1所述的光刻掩膜版，其特征在于：所述透光吸热层位于所述透光基板与所述掩膜层之间，且覆盖所述透光基板；或所述透光吸热层填充所述曝光区且包覆所述掩膜层。
4.一种光刻掩膜版的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
5.根据权利要求4所述的光刻掩膜版的制备方法，其特征在于：形成的所述透光吸热层还包覆所述掩膜层。
6.一种光刻掩膜版的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
7.根据权利要求6所述的光刻掩膜版的制备方法，其特征在于：形成所述透光吸热层时，还包括图案化所述透光吸热层的步骤，且在图案化所述掩膜层时，所述曝光区与图案化的所述透光吸热层对应设置。
8.根据权利要求4或6所述的光刻掩膜版的制备方法，其特征在于：形成的所述透光吸热层包括光固化辐射制冷薄膜，所述光固化辐射制冷薄膜包括tcdda薄膜或dpha薄膜中的一种或叠层。
9.一种改善光刻机镜头过热的方法，其特征在于，包括以下步骤：
10.根据权利要求9所述的改善光刻机镜头过热的方法，其特征在于：所述曝光能量阈值e0的取值范围为30m...
【专利技术属性】
技术研发人员：杨伟杰，
申请(专利权)人：芯恩青岛集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：
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