解决铝垫刻蚀工艺原电池腐蚀的方法技术

本发明专利技术提供一种解决铝垫刻蚀工艺原电池腐蚀的方法，所述方法包括：提供一半导体结构，其包含器件结构及形成于所述器件结构上的互连金属层；于所述半导体结构的表面形成铝垫层；对所述铝垫层进行刻蚀以形成铝垫；其中，所述铝垫层采用的材质包括铜铝合金，在对所述铝垫层进行刻蚀的过程中通入混合CH气体，并利用所述混合CH气体解离出的H<supgt;+</supgt;来中和铜与铝之间的电势差。通过本发明专利技术解决了现有的铝垫刻蚀工艺电化学腐蚀的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造，特别是涉及一种解决铝垫刻蚀工艺原电池腐蚀的方法。

技术介绍

1、在半导体集成电路的后端工艺中，最后一层需要形成图形化的铝垫结构，所述铝垫结构形成于互连金属层上，作为输入/输出或者电源/接地信号来提供连接，然后在铝垫的基础上形成重新布线层以满足封装的需求。

2、集成电路金属互连工艺中，顶部金属一般采用铜铝合金。然而，由于铜在铝中分布不均匀，导致金属铜在晶界处成核，之后的铝铜合金刻蚀过程中，采用氯气、三氯化硼等卤素气体进行刻蚀，而在高clear ratio产品刻蚀过程中，由于卤素残留，加之水汽的存在，导致铜与铝形成原电池，造成铝的电化学腐蚀(如图1圈中部分所示)，最终造成芯片测试异常。

技术实现思路

1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种解决铝垫刻蚀工艺原电池腐蚀的方法，用于解决现有的铝垫刻蚀工艺电化学腐蚀的问题。

2、为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种解决铝垫刻蚀工艺原电池腐蚀的方法，所述方法包括：>

3、提供一半本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种解决铝垫刻蚀工艺原电池腐蚀的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的解决铝垫刻蚀工艺原电池腐蚀的方法，其特征在于，所述混合CH气体包括一氯甲烷及甲烷。

3.根据权利要求1所述的解决铝垫刻蚀工艺原电池腐蚀的方法，其特征在于，在对所述铝垫层进行刻蚀时，采用的气体包括氯气或三氯化硼。

4.根据权利要求1所述的解决铝垫刻蚀工艺原电池腐蚀的方法，其特征在于，利用较高功率对所述混合CH气体进行轰击以解离出H+。

5.根据权利要求4所述的解决铝垫刻蚀工艺原电池腐蚀的方法，其特征在于，在对所述混合CH气体进行轰击时，采用的功率25...

【技术特征摘要】

1.一种解决铝垫刻蚀工艺原电池腐蚀的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的解决铝垫刻蚀工艺原电池腐蚀的方法，其特征在于，所述混合ch气体包括一氯甲烷及甲烷。

3.根据权利要求1所述的解决铝垫刻蚀工艺原电池腐蚀的方法，其特征在于，在对所述铝垫层进行刻蚀时，采用的气体包括氯气或三氯化硼。

4.根据权利要求1所述的解决铝垫刻蚀工艺原电池腐蚀的方法，其特征在于，利用较高功率对所述混合ch气体进行轰击以解离出h+。

5.根据权利要求4所述的解决铝垫刻蚀工艺原电池腐蚀的方法，其特征在于，在对所述混合ch气体进行轰击时...

【专利技术属性】
技术研发人员：张称，赵志，郭海亮，侯冰霞，汪健，王玉新，
申请(专利权)人：华虹半导体制造无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：