【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种处理衬底的衬底处理设备和衬底处理方法。
技术介绍
1、为了制造半导体器件，要进行各种过程，诸如照相、沉积、灰化、蚀刻和离子注入。此外，在进行这些过程之前和之后，要进行清洁残留在衬底上的颗粒的清洁过程。
2、在上述过程中，存在湿法蚀刻过程，该湿法蚀刻过程通过将处理液排放到衬底上来处理衬底。
3、在这种情况下，根据衬底的布线材料，处理衬底的处理液选择性地利用强酸或强碱。
4、另一方面，在处理衬底时处理液可以产生有毒的酸性气体。例如，在处理衬底时，处理液(诸如盐酸)可以产生酸性气体，诸如盐酸气体。
5、由于盐酸气体被工人吸入时非常危险，因此，默认情况下，用于处理衬底的腔室在内部排放，以防止有毒气体被排放到外部。
6、然而，问题在于，当操作者让腔室敞开以便进行过程故障或定期检查时，酸性气体会泄漏到操作者所在的外部空间并造成人身伤害。
技术实现思路
1、本专利技术致力于提供一种衬底处理设备和衬底处理方法，该设备和方法防止在...
【技术保护点】
1.一种处理衬底的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底处理操作是在压力为所述处理空间中的压力低于所述处理空间外部的压力的情况下进行的，并且
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述设定条件包括在所述衬底处理操作中的所述处理液是酸性化学品的情形。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述酸性化学品包括盐酸。
5.根据权利要求1所述的方法，其中在已完成用所述化学品连续处理所述衬底后进行所述紧急清洁操作。
6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
7.根据权利要求1所述的方法，...
【技术特征摘要】
1.一种处理衬底的方法，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底处理操作是在压力为所述处理空间中的压力低于所述处理空间外部的压力的情况下进行的，并且
3.根据权利要求1所述的方法，其中所述设定条件包括在所述衬底处理操作中的所述处理液是酸性化学品的情形。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述酸性化学品包括盐酸。
5.根据权利要求1所述的方法，其中在已完成用所述化学品连续处理所述衬底后进行所述紧急清洁操作。
6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述紧急清洁操作包括将清洁液供应给所述处理空间中旋转的支撑单元，以清洁所述支撑单元的上表面和所述处理容器的内表面。
8.根据权利要求7所述的方法，其中在所述紧急清洁操作中，所述处理容器沿上下方向移动，并且排放所述处理空间。
9.根据权利要求1所述的方法，其中当所述衬底处理操作中所述处理空间中的压力与所述腔室外部的压力之间的差异在设定范围之外时，已完成正在进行的所述衬底处理，并且进行所述紧急清洁操作。
10.根据权利要求1所述的方法，其中以设定间隔进行所述周期性清洁操作。
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