【技术实现步骤摘要】
本公开涉及激光装置以及电子器件的制造方法。
技术介绍
1、近年来,在半导体曝光装置中,随着半导体集成电路的微细化及高集成化,要求提高分辨率。因此,正在推进从曝光用光源放出的光的短波长化。例如,作为曝光用的气体激光装置,使用输出波长约248nm的激光的krf准分子激光装置、以及输出波长约193nm的激光的arf准分子激光装置。
2、krf准分子激光装置及arf准分子激光装置的自然振荡光的谱线宽度宽至350pm~400pm。因此,若由使krf以及arf激光那样的紫外线透射的材料构成投影透镜,则存在产生色差的情况。其结果,分辨率可能降低。因此,需要将从气体激光装置输出的激光的谱线宽度窄带化至能够忽略色差的程度。因此,在气体激光装置的激光谐振器内,为了使谱线宽度窄带化,有时具备包含窄带化元件(标准具、光栅等)的窄带化模块(line narrowingmodule:lnm)。将谱线宽度窄带化的气体激光装置称为窄带化气体激光装置。
3、现有技术文献
4、专利文献
5、[专利文献1]美国专利申请公开第2
...【技术保护点】
1.一种激光装置,其具备:
2.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
3.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
4.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
5.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
6.根据权利要求1所述的激光装置,其中,所述激光装置还具备:
7.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
8.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
9.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
10.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
11.根据权利要求1所述的
...【技术特征摘要】
1.一种激光装置,其具备:
2.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
3.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
4.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
5.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
6.根据权利要求1所述的激光装置,其中,所述激光装置还具备:
7.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
8.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
9.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
10.根据权利要求1所述的激光装置,其中,
11.根据权利要求1所述的激光装置,其中,所述激...
【专利技术属性】
技术研发人员:藤卷洋介,
申请(专利权)人:极光先进雷射株式会社,
类型:发明
国别省市:
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