半导体模块制造技术

本发明专利技术提供能够使功率循环耐量提高的半导体模块。半导体芯片的背面介由接合部件而与电路基板的正面的导电性板接合。电路基板收容于壳体的内部。LF介由接合部件而与由半导体芯片的正面电极构成的电极焊盘接合。另外，LF介由接合部件而与由电路基板的正面的导电性板构成的电极焊盘接合。LF将电极焊盘彼此电连接。半导体芯片、电路基板和LF被密封材料及绝缘层保护。绝缘层由弹性模量比密封材料的弹性模量小的电绝缘材料形成。绝缘层覆盖密封材料的整个面，并在半导体芯片的厚度方向上与LF对置。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体模块。

技术介绍

1、在专利文献1中，记载了提高半导体芯片的表面电极的强度而延长在半导体芯片和/或功率模块的功率循环评价下的寿命的技术。在专利文献2中也记载了同样的技术。在专利文献3中，记载了降低与引线框架布线的电极图案的接合部处的应力而延长功率循环试验的疲劳寿命的技术。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2019-96643号公报

5、专利文献2：日本特开2023-15214号公报

6、专利文献3：日本特开2018-46164号公报

技术实现思路

1、技术问题

2、在上述专利文献1中，引线端子通过密封材料而被位置固定，因此若在功率循环试验时半导体芯片热膨胀，则引线端子的从半导体芯片的正面电极立起的部分变形。受到该引线端子的立起部变形的不良影响，在半导体芯片的正面电极产生应变而导致破坏。在上述专利文献2中，在使用了引线材料的结构中也产生了与上述专利文献1同样的问题。在上述专利文献3中，也产生了与上本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体模块，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

6.根据权利要求5所述的半导体模块，其特征在于，

7.根据权利要求6所述的半导体模块，其特征在于，

8.根据权利要求5所述的半导体模块，其特征在于，

9.根据权利要求8所述的半导体模块，其特征在于，

【技术特征摘要】

1.一种半导体模块，其特征在于，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

3.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

4.根据权利要求1所述的半导体模块，其特征在于，

5.根据权利要求1所述的半导体...

【专利技术属性】
技术研发人员：大崎滉二，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：