【技术实现步骤摘要】
本公开内容的示例性实施例涉及半导体技术，并且更具体地，涉及一种包括可变电阻图案的半导体器件和用于操作该半导体器件的方法。
技术介绍
1、最近电子器件的小型化、低功耗、高性能以及多样化的趋势要求可以将数据储存在各种电子器件——诸如计算机和便携式通信设备中——的半导体器件，研究人员和工业界正在研究开发这种半导体器件。这种半导体器件能够通过使用根据所施加的电压或电流而在不同电阻状态之间切换的特性来储存数据。这种半导体器件的示例包括电阻式随机存取存储器(rram)、相变随机存取存储器(pram)、铁电随机存取存储器(fram)、磁性随机存取存储器(mram)、电熔丝等。
技术实现思路
1、本公开的实施例涉及一种可以通过防止诸如泄漏电流的缺陷来改善操作性能的半导体器件、以及一种用于操作该半导体器件的方法。
2、根据本公开内容的实施例，一种半导体器件包括：多个第一导电线，该多个第一导电线沿第一方向延伸；多个第二导电线，该多个第二导电线被设置为在第三方向上与第一导电线间隔开，并且在与第一方向...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述多个第一可变电阻图案中，串联耦接到所述多个存储单元之中的具有短路故障的缺陷存储单元的第一可变电阻图案具有在所述第一可变电阻图案的不同电阻状态中的高电阻状态。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述多个第一可变电阻图案中，串联耦接到所述多个存储单元之中的不具有短路故障的正常存储单元的第一可变电阻图案具有在所述第一可变电阻图案的不同电阻状态中的低电阻状态。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，改变每个第一可变电阻图案的电阻状态所需的电压或电流的大小大于...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述多个第一可变电阻图案中，串联耦接到所述多个存储单元之中的具有短路故障的缺陷存储单元的第一可变电阻图案具有在所述第一可变电阻图案的不同电阻状态中的高电阻状态。
3.如权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述多个第一可变电阻图案中，串联耦接到所述多个存储单元之中的不具有短路故障的正常存储单元的第一可变电阻图案具有在所述第一可变电阻图案的不同电阻状态中的低电阻状态。
4.如权利要求1所述的半导体器件，其中，改变每个第一可变电阻图案的电阻状态所需的电压或电流的大小大于所述多个存储单元中的存储单元在编程操作或读取操作期间所需的操作电压或操作电流的大小。
5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，在所述多个存储单元中的存储单元的编程操作或读取操作期间，所述第一可变电阻图案的电阻状态保持不变。
6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一可变电阻图案包括相变材料。
7.如权利要求6所述的半导体器件，其中，所述多个存储单元中的存储单元包括磁隧道结结构。
8.如权利要求1所述的半导体器件，其中，所述多个存储单元中的存储单元还包括第二可变电阻图案，所述第二可变电阻图案表现出不同的电阻状态以用于为所述存储单元储存数据。
9.如权利要求8所述的半导体器件，其中，改变所述第一可变电阻图案的电阻状态所需的电压或电流的大小大于改变所述第二可变电阻图案的电阻状态所需的电压或电流的大小。
10.如权...
【专利技术属性】
技术研发人员：宋政桓，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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