半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种半导体装置，能够提高对由噪声等引起的误动作、损坏的耐受性。具备：第一导电型的基体；第二导电型的第一阱区，其设置于基体，在该第一阱区形成有高侧电路；第一导电型的第二阱区，其设置于第一阱区的上部；第二导电型的第一耐压区，其设置于第一阱区的周围；第二导电型的接触区，其设置于第一阱区或第一耐压区的上部；第一导电型的狭缝区，其设置于第一阱区的上部的第二阱区与接触区之间，该狭缝区经由电阻来与第二阱区连接；第一导电型的第二耐压区，其设置于第一耐压区的外周侧；以及电平转换器，其在低侧电路与高侧电路之间进行信号传递。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置。

技术介绍

1、专利文献1公开以下结构：在高耐压集成电路(hvic)中，将高侧电路的基准电位(vs电位)的p型区与高侧电路的电源电位(vb电位)的n型区分离地形成，由此使得不形成寄生pnp双极晶体管。

2、专利文献2公开以下结构：在hvic中，为了提高对导致vb电位＜接地电位(gnd电位)的噪声的耐受性，设置形成p-型狭缝的边和不形成p-型狭缝的边，通过不形成p-型狭缝的边吸收空穴电流，由此使电流不易流入到高侧电路。

3、专利文献3公开以下结构；在hvic中，在vb电位的接触区不仅形成n+型区还形成p+型区，通过n+型区和p+型区来吸收空穴电流，由此使电流不易流入到高侧电路。

4、现有技术文献

5、专利文献

6、专利文献1：日本专利第6008054号公报

7、专利文献2：日本专利第6447139号公报

8、专利文献3：日本专利第5099282号公报

技术实现思路

1、专利技术要解决的问题

<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

11.根据权利要求1或2所述...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，具备：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求2或3所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

8.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中贵英，
申请(专利权)人：富士电机株式会社，
类型：发明
国别省市：