半导体结构的制造方法技术

本公开实施例涉及半导体领域，提供一种半导体结构的制造方法，包括：提供基底，基底包括阵列区；形成多个有源柱，有源柱位于阵列区上，有源柱沿第一方向和第二方向排列，有源柱沿第三方向延伸；形成字线，字线沿第一方向延伸，在沿第一方向上，字线覆盖多个有源柱的侧壁；形成位线，位线沿第二方向延伸，在沿第二方向上，位线连接多个有源柱在沿第三方向的一端；形成字线插塞，字线插塞位于字线在沿第三方向上靠近位线的一侧，且与字线电接触，字线插塞在基底上的正投影位于阵列区；形成位线插塞，位线插塞位于位线在沿第三方向上远离有源柱的一侧，且与位线电接触，位线插塞在基底上的正投影位于阵列区，至少有利于提高半导体结构的集成密度。

【技术实现步骤摘要】

本公开实施例涉及半导体领域，特别涉及一种半导体结构的制造方法。

技术介绍

1、存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件。一般计算机系统使用的随机存取内存(random access memory，ram)可分为动态随机存取存储器(dynamic randomaccess memory，dram)与静态随机存取存储器(static random-access memory，sram)两种，动态随机存取存储器是计算机中常用的半导体存储器件，由许多重复的存储单元组成。

2、存储单元通常包括电容器和晶体管，晶体管的源漏或者漏极中的一者与位线结构相连、源漏或者漏极中的另一者与电容器相连，电容器包括电容接触结构和电容，存储单元的字线结构能够控制晶体管的沟道区的打开或关闭，进而通过位线结构读取存储在电容器中的数据信息，或者通过位线结构将数据信息写入到电容器中进行存储。

3、目前，半导体结构的集成密度有待提高。

技术实现思路

1、本公开实施例提供一种半导体结构的制造方法，至少有利于提高半导体结构的本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述有源柱在沿所述第三方向上靠近所述基底的一端为第一端，所述有源柱在沿所述第三方向上远离所述基底的一端为第二端；

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述位线包括：

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述热处理工艺包括快速热退火工艺。

5.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述金属层的材料包括钴、钛、钨或者钽。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制...

【技术特征摘要】

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述有源柱在沿所述第三方向上靠近所述基底的一端为第一端，所述有源柱在沿所述第三方向上远离所述基底的一端为第二端；

3.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述位线包括：

4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述热处理工艺包括快速热退火工艺。

5.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，形成所述金属层的材料包括钴、钛、钨或者钽。

6.根据权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：王枫，刘忠明，张阳，于业笑，苏义旭，陈继华，
申请(专利权)人：长鑫科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：