一种IBC电池及其制备方法技术

本发明专利技术实施例提供了一种IBC电池及其制备方法，其中，本发明专利技术实施例通过在原硅区域形成含硼硅涂层并进行激光掺杂处理，即可以对该原硅区域进行高浓度硼掺杂而形成p型掺杂区，避免了采用传统管式硼源的掺杂方式带来的副作用，提升了电池的转换效率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶硅太阳能电池制造，特别是涉及一种ibc电池及其制备方法。

技术介绍

1、交叉指式背接触(interdigitated back contact，ibc)电池，为将p/n结、基底与发射区的接触电极以交指形状做在电池背面的新型电池，其核心技术为在电池背面制备出质量较好、成叉指状间隔排列的p区和n区。

2、根据原硅片的不同，现有ibc电池分为n型ibc和p型ibc电池，但两种ibc电池均只是单纯的在电池背面制备出高质量成叉指间隔排列的p区和n区，且利用正面无金属电极遮挡的方式来提升短路电流，电池的光电转换效率还有待提高。

技术实现思路

1、本专利技术所要解决的技术问题是提供一种ibc电池及其制备方法，以解决现有ibc电池的光电转换效率不佳的问题。

2、为了解决上述问题，本专利技术是通过如下技术方案实现的：

3、本专利技术提出了一种ibc电池的制备方法，其中，包括：

4、在硅片背面依次形成氧化硅层、磷掺杂多晶硅层后，在硅片背面激光开槽，形成叉指状间隔排列本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种IBC电池的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在硅片背面依次形成氧化硅层、磷掺杂多晶硅层之前，所述方法还包括：

3.根据权利要2所述的制备方法，其特征在于，在对所述硅片进行制绒处理之后，且在所述硅片背面依次形成氧化硅层、磷掺杂多晶硅层之前，所述方法还包括：

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述氧化处理的温度为200℃～500℃、氧气流量为200～500sccm、时间为5～30分钟。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，碱抛处理后的方块尺寸为6～8微米。

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【技术特征摘要】

1.一种ibc电池的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在硅片背面依次形成氧化硅层、磷掺杂多晶硅层之前，所述方法还包括：

3.根据权利要2所述的制备方法，其特征在于，在对所述硅片进行制绒处理之后，且在所述硅片背面依次形成氧化硅层、磷掺杂多晶硅层之前，所述方法还包括：

4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述氧化处理的温度为200℃～500℃、氧气流量为200～500sccm、时间为5～30分钟。

5.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，碱抛处理后的方块尺寸为6～8微米。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：舒华富，李家栋，张敏，何朝，刘江，
申请(专利权)人：一道新能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：