温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明实施例提供了一种IBC电池及其制备方法，其中，本发明实施例通过在原硅区域形成含硼硅涂层并进行激光掺杂处理，即可以对该原硅区域进行高浓度硼掺杂而形成p型掺杂区，避免了采用传统管式硼源的掺杂方式带来的副作用，提升了电池的转换效率。...
该专利属于一道新能源科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过一道新能源科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。