【技术实现步骤摘要】
各种实施方式总体上涉及反相器和包括其的半导体集成电路装置，更具体地，涉及一种具有输出电流特性的反相器和包括该反相器的半导体集成电路装置。
技术介绍
1、半导体集成电路装置可使用反相器。反相器可将信号反相。
2、此外，反相器可用作缓冲电路。反相器可用作延迟电路。缓冲电路可包括彼此串联连接的多个反相器。延迟电路可将输入信号延迟一段时间。
技术实现思路
1、在实施方式中，一种反相器可包括：至少一个pmos晶体管，其包括连接到输入信号线的第一栅极、连接到电源电压线的第一源极和连接到输出信号线的第一漏极；以及至少一个nmos晶体管，其包括连接到输入信号线的第二栅极、连接到接地电压线的第二源极和连接到输出信号线的第二漏极。在实施方式中，第一源极和第二源极中的至少一个具有在第一方向上延伸的单指状区域，第一漏极和第二漏极中的至少一个具有在不同于第一方向的第二方向上彼此基本上平行延伸的多指状区域。
2、在实施方式中，一种反相器可包括：多个子pmos晶体管，各个子pmos晶体管包括在第...
【技术保护点】
1.一种反相器，该反相器包括：
2.根据权利要求1所述的反相器，其中，所述PMOS晶体管还包括第一有源区域，并且所述第一有源区域包括在所述第一方向上延伸的第一单指状区域以及在所述第二方向上从所述第一单指状区域的侧表面延伸的多个第一多指状区域。
3.根据权利要求2所述的反相器，其中，所述第一栅极在所述第一有源区域的中央部分处延伸，所述第一源极形成在所述第一栅极的一侧的所述第一单指状区域中，并且所述第一漏极形成在所述第一栅极的另一侧的所述第一多指状区域中。
4.根据权利要求3所述的反相器，其中，所述第一漏极的面积小于所述第一源极的面积。
5.根...
【技术特征摘要】
1.一种反相器，该反相器包括：
2.根据权利要求1所述的反相器，其中，所述pmos晶体管还包括第一有源区域，并且所述第一有源区域包括在所述第一方向上延伸的第一单指状区域以及在所述第二方向上从所述第一单指状区域的侧表面延伸的多个第一多指状区域。
3.根据权利要求2所述的反相器，其中，所述第一栅极在所述第一有源区域的中央部分处延伸，所述第一源极形成在所述第一栅极的一侧的所述第一单指状区域中，并且所述第一漏极形成在所述第一栅极的另一侧的所述第一多指状区域中。
4.根据权利要求3所述的反相器，其中，所述第一漏极的面积小于所述第一源极的面积。
5.根据权利要求1所述的反相器，其中，所述nmos晶体管还包括第二有源区域，并且所述第二有源区域包括在所述第一方向上延伸的第二单指状区域以及在所述第二方向上从所述第二单指状区域的侧表面延伸的多个第二多指状区域。
6.根据权利要求5所述的反相器，其中，所述第二栅极在所述第二有源区域的中央部分处延伸，所述第二源极形成在所述第二栅极的一侧的所述第二单指状区域中，并且所述第二漏极形成在所述第二栅极的另一侧的所述第二多指状区域中。
7.根据权利要求6所述的反相器，其中，所述第二漏极的面积小于所述第二源极的面积。
8.一种反相器，该反相器包括：
9.根据权利要求8所述的反相器，其中，所述多个子pmos晶体管包括第一子pmos晶体管和第二子...
【专利技术属性】
技术研发人员：权亨俊，金宰浩，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：
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