【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本公开涉及衬底处理系统，更特别是涉及配置为使用低氟钨进行沉积的衬底处理系统。
技术介绍
1、这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景。目前指定专利技术人的工作(就该背景部分所描述的范围而言)以及说明书中在提交时可能不具备现有技术资格的各方面均未明确或暗示地承认为针对本公开的现有技术。
2、衬底处理系统用于在半导体晶片等衬底上进行膜沉积和蚀刻等处理。例如，可以使用化学气相沉积(cvd)、原子层沉积(ald)和/或其他沉积工艺来进行沉积以沉积导电膜、介电膜或其他类型的膜。在沉积期间，将衬底布置在衬底支撑件上，并且可以在一个或多个工艺步骤期间将一种或多种前体气体供应到处理室。等离子体可用于引发化学反应。沉积执行后，抽空工艺气体并将衬底从处理室中移除。
3、在一些示例中，用于沉积的工艺气体包含钨。含钨材料可用于沉积半导体结构，例如水平互连、相邻金属层之间的通孔、金属层之间的触点等。含钨材料可用于一些具有复杂图案化的结构，例如具有高纵横比特征的3d nand结构。
技术实现思路>
1、一种用于本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种用于衬底处理系统中的处理室的气体输送系统，所述气体输送系统包括：
2.根据权利要求1所述的气体输送系统，其中所述前体气体是含钨前体气体。
3.根据权利要求2所述的气体输送系统，其中所述前体气体包含WF6。
4.根据权利要求2所述的气体输送系统，其中所述还原气体包含分子氢。
5.根据权利要求2所述的气体输送系统，其中所述第一氮气和所述第二氮气各自包含分子氮。
6.根据权利要求1所述的气体输送系统，其中所述第一流路、第二流路、第三流路和第四流路各自包含至少一个阀门和质量流量控制器。
7.根据权...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
1.一种用于衬底处理系统中的处理室的气体输送系统，所述气体输送系统包括：
2.根据权利要求1所述的气体输送系统，其中所述前体气体是含钨前体气体。
3.根据权利要求2所述的气体输送系统，其中所述前体气体包含wf6。
4.根据权利要求2所述的气体输送系统，其中所述还原气体包含分子氢。
5.根据权利要求2所述的气体输送系统，其中所述第一氮气和所述第二氮气各自包含分子氮。
6.根据权利要求1所述的气体输送系统，其中所述第一流路、第二流路、第三流路和第四流路各自包含至少一个阀门和质量流量控制器。
7.根据权利要求6所述的气体输送系统，其中：
8.根据权利要求7所述的气体输送系统，其中：
9.根据权利要求7所述的气体输送系统，其还包括控制器，所述控制器被配置为控制第一阀门、第二阀门、第三阀门和第四阀门以及第一质量流量控制器、第二质量流量控制器、第三质量流量控制器和第四质量流量控制器，以使所述第一氮气与所述还原气体共流入所述处理室，并使所述第二氮气与所述前体气体共流入所述处理室。
10.根据权利要求7所述的气体输送系统，其中：
11.根据权利要求10所述的气体输送系统，其中所述处理室被配置为执行低氟钨沉积工艺。
12.根据权利要求11所述的气体输送系统，其中所述含钨前体气体包含wf6。
13.根据权利要求9所述的气体...
【专利技术属性】
技术研发人员：巴晓兰，张梓卓，高举文，桑杰·戈皮纳特，拉维·韦兰基，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：
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