一种高压超结高功率MOSFET元器件及其制备工艺制造技术

本发明专利技术涉及半导体器件制备技术领域，特别是一种高压超结高功率MOSFET元器件及其制备工艺，采用交替离子注入技术，根据预设要求控制注入能量和剂量，对衬底基材进行交替注入的不同类型离子，以形成超结所需的交替掺杂区域；使用光刻机，将预先设计好的器件图案通过曝光转移到光刻胶上，并进行显影处理，去除曝光部分的光刻胶，得到蚀刻区域；对所述蚀刻区域进行蚀刻处理，去除不需要的外延层部分，形成源极、漏极以及栅极结构轮廓；在刻蚀后的结构上，采用化学气相沉积方法沉积绝缘层材料，沉积完成后，对元器件进行退火处理。本发明专利技术实现了高压超结高功率MOSFET元器件的高精度制造，能够提高器件的耐压能力、导通性能和可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件制备，特别是一种高压超结高功率mosfet元器件及其制备工艺。

技术介绍

1、高压超结高功率mosfet（metal-oxide-semiconductor field-effecttransistor）元器件是一种广泛应用于电力电子领域的关键器件，其核心优势在于能够在高电压、大电流条件下实现高效的能量转换和开关控制。传统的功率mosfet器件在高电压应用中面临导通电阻与击穿电压之间的固有矛盾，即提高击穿电压通常会导致导通电阻的增加，从而降低器件的效率。为了解决这一问题，超结技术应运而生，其通过在漂移区中引入交替排列的p型柱和n型柱结构，优化了电场分布，显著降低了导通电阻，同时保持了较高的击穿电压。这种结构使得高压超结mosfet在高功率应用中表现出优异的性能，广泛应用于开关电源、电机驱动、新能源发电等领域。

2、在制备工艺方面，高压超结高功率mosfet的制造涉及多个关键技术步骤。首先，需要在半导体衬底上生长高质量的外延层，以形成漂移区；其次，通过交替离子注入技术，精确控制p型和n型掺杂区域的分布，形成超结结构；随后，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高压超结高功率MOSFET元器件的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种高压超结高功率MOSFET元器件的制备工艺，其特征在于，在预设时间节点获取监测外延层的生长状况，具体为：

3.根据权利要求2所述的一种高压超结高功率MOSFET元器件的制备工艺，其特征在于，根据所述生长状况对外延生长参数进行调控处理，具体为：

4.根据权利要求3所述的一种高压超结高功率MOSFET元器件的制备工艺，其特征在于，根据所述生长状况对外延生长参数进行调控处理，还包括：

5.根据权利要求1所述的一种高压超结高功率MOSFET元...

【技术特征摘要】

1.一种高压超结高功率mosfet元器件的制备工艺，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种高压超结高功率mosfet元器件的制备工艺，其特征在于，在预设时间节点获取监测外延层的生长状况，具体为：

3.根据权利要求2所述的一种高压超结高功率mosfet元器件的制备工艺，其特征在于，根据所述生长状况对外延生长参数进行调控处理，具体为：

4.根据权利要求3所述的一种高压超结高功率mosfet元器件的制备工艺，其特征在于，根据所述生长状况对外延生长参数进行调控处理，还包括：

5.根据权利要求1所述的一种高压超结高功率mosfet元器件的制备工艺，其特征在于，采用交...

【专利技术属性】
技术研发人员：韩朝鹏，
申请(专利权)人：深圳市优一达电子有限公司，
类型：发明
国别省市：