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本发明涉及半导体器件制备技术领域，特别是一种高压超结高功率MOSFET元器件及其制备工艺，采用交替离子注入技术，根据预设要求控制注入能量和剂量，对衬底基材进行交替注入的不同类型离子，以形成超结所需的交替掺杂区域；使用光刻机，将预先设计好的器...
该专利属于深圳市优一达电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市优一达电子有限公司授权不得商用。

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