ALD前驱体储存装置制造方法及图纸

本技术提供一种ALD前驱体储存装置，包括容器主体及弹性机构，弹性机构设置于容器主体的内部下方，弹性机构包括可伸缩弹性装置和活塞装置；可伸缩弹性装置的一端固定在容器主体的内部底部，另一端连接活塞装置；活塞装置将容器主体内部空间分隔为沿上下方向的两个空间，且使容置弹性机构的空间为密封空间。活塞装置可随可伸缩弹性装置的伸长和压缩在容器主体内部上下移动，确保反应物气体始终处于饱和蒸气压的状态，可有效解决在ALD连续反应时前驱体的饱和蒸气压不足的问题，进而解决由此导致的相同的反应时间内形成的薄膜厚度偏薄，均匀性较差，进而导致WAT失效以及集成电路性能受到影响的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及原子层沉积，特别是涉及一种ald前驱体储存装置。

技术介绍

1、随着半导体产业的不断发展，器件的尺寸愈发细微使得寻找或开发更为先进的薄膜生长技术尤为重要，这些器件需要低热预算、薄膜厚度精度高和在三维(3d)结构上的出色保形性，然而，传统的沉积技术，化学气相沉积(cvd)和物理气相沉积(pvd)已经不能完全适应这一发展趋势。原子层沉积(ald)技术由于其沉积参数的高度可控性(厚度、成份和结构)、优异的均匀性和保形性，使其在微电子和纳米材料等领域具有广泛的应用潜力。

2、ald在沉积过程中，反应物气体是交替沉积，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，每次反应只沉积一层原子。拥有自限制生长特点，可使薄膜共形且无针孔的沉积到衬底上，因此可以通过控制沉积周期的次数实现薄膜厚度的精确控制。基于ald技术的工艺原理，需在饱和蒸汽压的条件下进行，以确保反应物气体从容器到反应室的输送效率和ald沉积薄膜过程的均匀性。ald技术沉积薄膜的过程中，为了使容器主体内的反应物气体维持饱和蒸汽压的状态，现有技术中一般仅采用在储存ald前驱体容器主体的外本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种ALD前驱体储存装置，其特征在于，所述储存装置包括：容器主体及弹性机构；

2.根据权利要求1所述的ALD前驱体储存装置，其特征在于：所述容器主体为钢瓶。

3.根据权利要求1所述的ALD前驱体储存装置，其特征在于：所述可伸缩弹性装置为弹簧。

4.根据权利要求1所述的ALD前驱体储存装置，其特征在于：所述容器主体外侧壁环绕包覆加热带。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的ALD前驱体储存装置，其特征在于：所述弹性机构包括两个以上所述可伸缩弹性装置，且所有所述可伸缩弹性装置均匀容置于所述第二空间。

6.根据权利要求5所述的A...

【技术特征摘要】

1.一种ald前驱体储存装置，其特征在于，所述储存装置包括：容器主体及弹性机构；

2.根据权利要求1所述的ald前驱体储存装置，其特征在于：所述容器主体为钢瓶。

3.根据权利要求1所述的ald前驱体储存装置，其特征在于：所述可伸缩弹性装置为弹簧。

4.根据权利要求1所述的ald前驱体储存装置，其特征在于：所述容器主体外侧壁环绕包覆加热带。

5.根据权利要求1至4中任意一项所述的ald前驱体储存装置，其特征在于：所述弹性机构包括两个以上所述可伸缩弹性装置，且所有所述可伸缩弹性装置均匀容置于所述第二空间。

6.根据权利要求5所述的ald前驱体储存装置，其特征在于：所述可伸缩弹性装...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔盼盼，于海龙，董信国，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：