【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种加热盘的制造方法、一种加热盘，一种工艺腔室，以及一种半导体器件的加工设备。
技术介绍
1、半导体制造中的加热盘，因与传输腔连接处的传片口结构的存在，其腔体空间相较于圆柱形腔室，多出一个空腔，有可能会导致该方向晶圆表面温度低于其他位置。
2、现有技术中的单区、双区加热盘，通常将印刷式电极设于陶瓷与金属基体之间，通过印刷式电极对该局部区域进行温度调节。然而，一方面，印刷式电极通常设于金属与陶瓷之间，其粘结部位采用耐受温度较低的胶粘接，因而无法在加热盘高温使用的同时控制电极进行均匀性调整。另一方面，其更加无法在不均匀的环境温度下，均匀加热晶圆的加热盘，以降低在线分区控制的成本和难度。
3、为了克服现有技术存在的上述缺陷，本领域亟需一种加热盘技术，用于对加热盘传片口处的温度进行调节，从而在不均匀且高温的环境温度下，均匀地对加热盘进行加热，以降低在线分区控制的成本和难度。
技术实现思路
1、以下给出一个或多个方面的简要概述以提供对这些方面...
【技术保护点】
1.一种加热盘的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述根据所述加热盘在工艺腔室中的安装位置，设定各所述加热丝子构件的环境温度参数的步骤包括：
3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述根据所述陶瓷上盖构件的表面温度分布，调节至少一个低温分区的加热丝子构件的加热丝结构的步骤包括：
4.一种加热盘，包括陶瓷基底构件、加热丝构件及陶瓷上盖构件，其特征在于，所述加热丝构件位于所述陶瓷基底构件与所述陶瓷上盖构件之间，并按照多个预设的分区被划分为多个加热丝子构件，其中，多个所述分区中的至少一...
【技术特征摘要】
1.一种加热盘的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述根据所述加热盘在工艺腔室中的安装位置，设定各所述加热丝子构件的环境温度参数的步骤包括：
3.如权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述根据所述陶瓷上盖构件的表面温度分布，调节至少一个低温分区的加热丝子构件的加热丝结构的步骤包括：
4.一种加热盘，包括陶瓷基底构件、加热丝构件及陶瓷上盖构件，其特征在于，所述加热丝构件位于所述陶瓷基底构件与所述陶瓷上盖构件之间，并按照多个预设的分区被划分为多个加热丝子构件，其中，多个所述分区中的至少一个冷区的第一加热丝子构件的加热丝分布密度，大于多个所述分区中的至少一个热区的第二加热丝子构件的加热丝分布密度。
【专利技术属性】
技术研发人员：刘凡成，张亚新，
申请(专利权)人：拓荆创益沈阳半导体设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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