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本发明提供了一种加热盘及其制造方法、工艺腔室，以及半导体器件的加工设备。加热盘的制造方法包括以下步骤：构建加热盘的结构模型，并定义其中各构件的材料特性；进行额定加热功率的仿真，以获得陶瓷上盖构件的表面温度分布；根据陶瓷上盖构件的表面温度分布...
该专利属于拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司授权不得商用。

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