【技术实现步骤摘要】
技术介绍
1、存储器装置广泛用于在各种电子装置(例如计算机、用户装置、无线通信装置、相机、数字显示器及类似者)中存储信息。通过将存储器装置内的存储器单元编程到各种状态而存储信息。举例来说，二进制存储器单元可编程到两种支持状态中的一者，所述状态通常由逻辑1或逻辑0表示。在一些实例中，单个存储器单元可支持多于两种状态，可存储所述状态中的任一者。为存取经存储信息，组件可读取或感测存储器装置中的至少一个经存储状态。为存储信息，组件可将状态写入或编程于存储器装置中。
2、存在各种类型的存储器装置及存储器单元，包含磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、静态ram(sram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻式ram(rram)、快闪存储器、相变存储器(pcm)、自选择存储器、硫属化物存储器技术等等。存储器单元可为易失性的或非易失性的。
技术实现思路
1...
【技术保护点】
1.一种设备，其包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储元件的所述第一侧的边缘从所述第一电极的所述第一侧的边缘及所述第二电极的所述第一侧的边缘偏移。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述第一电极的所述第一侧的所述边缘与所述第二电极的所述第一侧的所述边缘对准。
4.根据权利要求1所述的设备，其中通过填充所述第一电极与所述第二电极之间的腔而形成所述存储元件。
5.根据权利要求1所述的设备，其中：
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储元件的第二侧及所述第二电极的第二侧涂覆有将所述存储元件及所述第二...
【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：
2.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储元件的所述第一侧的边缘从所述第一电极的所述第一侧的边缘及所述第二电极的所述第一侧的边缘偏移。
3.根据权利要求2所述的设备，其中所述第一电极的所述第一侧的所述边缘与所述第二电极的所述第一侧的所述边缘对准。
4.根据权利要求1所述的设备，其中通过填充所述第一电极与所述第二电极之间的腔而形成所述存储元件。
5.根据权利要求1所述的设备，其中：
6.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储元件的第二侧及所述第二电极的第二侧涂覆有将所述存储元件及所述第二电极与电介质材料分离的氧化铝层。
7.一种设备，其包括：
8.根据权利要求7所述的...
【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯·M·格雷廷格，L·弗拉汀，P·M·弗兰，E·瓦雷西，P·凡蒂尼，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：
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