【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、随着半导体集成电路(integrated circuit，ic)产业的快速发展，半导体技术在摩尔定律的驱动下持续地朝更小的工艺节点迈进，使得集成电路朝着体积更小、电路精度更高、电路复杂度更高的方向发展。
2、为了更好的适应器件尺寸按比例缩小的要求，半导体工艺逐渐开始从平面晶体管向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如：鳍式场效应晶体管(fin field effecttransistor，finfet)等。其中，鳍式场效应晶体管中，栅极三面包围鳍(fin)状的沟道，与平面晶体管相比，鳍式场效应晶体管的栅极对沟道的控制能力更强，能够更好的抑制短沟道效应。
3、在半导体领域中，根据工艺要求，通常会采用鳍切(fin cut)工艺去除不需要的鳍部。但是，经过鳍切工艺后形成的鳍式场效应晶体管的性能仍有待提高。
技术实现思路
1、本专利技术实施例解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一隔离层，位于所述隔断区的衬底中；
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离层底部与所述衬底顶部之间的垂直距离为10纳米至60纳米。
4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第二隔离层，位于所述器件鳍部和隔离鳍部侧部的衬底上，所述第二隔离层覆盖所述器件鳍部的部分侧壁，所述第二隔离层顶部与所述隔离鳍部的顶部相齐平。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第一隔离层，位于所述隔断区的衬底中；
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一隔离层底部与所述衬底顶部之间的垂直距离为10纳米至60纳米。
4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：第二隔离层，位于所述器件鳍部和隔离鳍部侧部的衬底上，所述第二隔离层覆盖所述器件鳍部的部分侧壁，所述第二隔离层顶部与所述隔离鳍部的顶部相齐平。
5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离鳍部的材料和所述第二隔离层的材料相同。
6.如权利要求1～3中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述隔离鳍部的材料包括氧化硅、氮氧化硅、氮化硅和碳化硅中的一种或多种。
7.如权利要求1～3中任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述器件区包括第一器件区和第二器件区；
8.一种半导体结构的形成方法，其特征在于：
9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述第一隔离层的步骤，包括：
10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述沟槽的工艺包括金属辅助化学刻蚀工艺。
11.如权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述沟槽的步骤包括：
12.如权利要求11所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述金属催化剂层的步骤中，所述金属催化剂层的材料包括惰性金属催化剂，所述惰性金属催化剂由惰性金属和载体构成，所述惰性金属包括铂、金、钌和铱中的一种或者多种；所...
【专利技术属性】
技术研发人员：范义秋，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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