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一种半导体结构及其形成方法，半导体结构包括衬底，衬底包括隔断区和器件区；器件鳍部，位于器件区的衬底上，隔离鳍部，位于隔断区的衬底上。本发明采用隔离鳍部替代了位于隔断区的器件鳍部，因而省去了现有技术中在形成器件鳍部之后去除隔断区器件鳍部的步骤...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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