【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种聚胺类化合物、柔性衬底baw器件及它们的制备方法，属于半导体材料与电子通讯装置。
技术介绍
1、aln（氮化铝）凭借其较高的声速与较大的品质因子，成为基于压电薄膜的射频器件的首选材料。目前主要是在蓝宝石、sic（碳化硅）或si衬底上直接生长aln材料。aln与异质衬底存在晶格失配与热失配等一系列问题，导致aln的生长较为困难，通常会面临生长速率慢、晶体质量差的问题。
2、现有技术中已开发出不少缓冲层可缓解aln与异质衬底之间的晶格失配、热失配，这些缓冲层大多由物理气相沉积方法制得，通过缓冲层中的元素渐变缓解aln与异质衬底之间的晶格失配、热失配，或者通过两种材料交替叠合缓解aln与异质衬底之间的晶格失配、热失配。
3、为了满足柔性穿戴、便携式器件的要求，需要射频滤波器具有柔性衬底。制作具有柔性衬底的baw器件（体声波滤波器）时，需要先在蓝宝石、碳化硅或硅等硬质衬底上完成各层的制备，最后用柔性衬底置换硬质衬底。然而上述用物理气相沉积方法制得的缓冲层导致aln与硬质衬底之间的结合力极强，难以分离，在...
【技术保护点】
1.一种聚胺类化合物，其特征在于，具有式D的结构：
2.一种聚胺类化合物制备方法，其特征在于，包括如反应式组1所示的步骤：
3.一种柔性衬底BAW器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的柔性衬底BAW器件制备方法，其特征在于，所述在所述缓冲层上依次形成AlN压电薄膜、底电极、第一SiO2层的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的柔性衬底BAW器件制备方法，其特征在于，生长所述AlN层的温度＞沉积所述AlN种子层的温度＞沉积所述第一SiO2层的温度＞沉积所述底电极的温度＞沉积所述第二SiO2层的温度...
【技术特征摘要】
1.一种聚胺类化合物，其特征在于，具有式d的结构：
2.一种聚胺类化合物制备方法，其特征在于，包括如反应式组1所示的步骤：
3.一种柔性衬底baw器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
4.根据权利要求3所述的柔性衬底baw器件制备方法，其特征在于，所述在所述缓冲层上依次形成aln压电薄膜、底电极、第一sio2层的步骤包括：
5.根据权利要求4所述的柔性衬底baw器件制备方法，其特征在于，生长所述aln层的温度＞沉积所述aln种子层的温度＞沉积所述第一sio2层的温度＞沉积所述底电极的温度＞沉积所述第二sio2层的温度＞将所述第一外延片与所述第二外延片键合的温度＞所述干法刻蚀的温度。
6.根据权利要求5所述的柔性衬底baw器件制备方法，其特征在于，生长所述aln层的温度为1100℃~1300℃；沉积所述aln种子层的温度为300℃~500℃；沉积所述第一sio2层的温度为300℃~450℃；沉积所述底电极的温度为300℃~400℃；沉积所述第二sio2层的温度为150℃~250℃；将所述第一外延片与所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，罗添友，
申请(专利权)人：广州市艾佛光通科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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