半导体装置制造方法及图纸

半导体装置包含漏极电极、基底层、第一源极接触与第二源极接触、第一与第二栅极电极、栅极连接结构以及栅极绝缘层。第一与第二栅极电极位在第一与第二源极接触之间。栅极绝缘层包围第一与第二栅极电极以及栅极连接结构。栅极绝缘层包含位在第一与第二栅极电极之间的延伸部，且栅极连接结构在基底层上的垂直投影面积小于栅极绝缘层的延伸部在基底层上的垂直投影面积。栅极连接结构位在第一与第二栅极电极之间且分别连接第一与第二栅极电极，可缩减栅极连接结构与漏极电极在垂直方向上重叠的面积，降低栅极与漏极间的电容，提升切换速度及切换过程的稳定性、使栅极电极的布局紧密，增加单位面积的通道密度，增加电流密度并降低导通后的电阻大小。

【技术实现步骤摘要】

本揭露是有关于一种半导体装置。

技术介绍

1、随着半导体技术的进步，金属氧化物半导体场效应晶体管的应用越来越广泛。功率半导体可在电子元件中作为开关使用。功率半导体可应用在高电压与高电流的元件设计中。功率半导体的切换速度与导通电阻都与其栅极结构的设计密切相关。

技术实现思路

1、本揭露的一技术态样为一种半导体装置。

2、在本揭露一实施例中，半导体装置包含漏极电极、基底层、第一源极接触与第二源极接触、第一栅极电极与第二栅极电极、栅极连接结构以及栅极绝缘层。基底层位在漏极电极上。第一源极接触与第二源极接触位在基底层上。第一栅极电极与第二栅极电极位在基底层上且位在第一源极接触与第二源极接触之间。栅极连接结构位在第一栅极电极与第二栅极电极之间且分别连接第一栅极电极与第二栅极电极。栅极绝缘层包围第一栅极电极、第二栅极电极以及栅极连接结构，其中栅极绝缘层包含位在第一栅极电极与第二栅极电极之间的延伸部，且栅极连接结构在基底层上的垂直投影的面积小于栅极绝缘层的延伸部在基底层上的垂直投影的面积。</p>

3、本揭本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一栅极电极、该栅极连接结构以及该第二栅极电极排列于第一方向上，该第一栅极电极与该第二栅极电极延伸于第二方向上，且该第一栅极电极与该第二栅极电极于该第二方向上的第一长度大于该栅极连接结构于该第二方向上的第二长度。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一栅极电极以及该第二栅极电极为长条状，且该栅极连接结构于该第二方向上的第二长度小于该栅极绝缘层的该延伸部于该第二方向上的第三长度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一栅极...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一栅极电极、该栅极连接结构以及该第二栅极电极排列于第一方向上，该第一栅极电极与该第二栅极电极延伸于第二方向上，且该第一栅极电极与该第二栅极电极于该第二方向上的第一长度大于该栅极连接结构于该第二方向上的第二长度。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一栅极电极以及该第二栅极电极为长条状，且该栅极连接结构于该第二方向上的第二长度小于该栅极绝缘层的该延伸部于该第二方向上的第三长度。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第一栅极电极与该第二栅极电极分别侧向围绕该第一源极接触与该第二源极接触。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：张兆易，
申请(专利权)人：鸿扬半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：