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半导体装置包含漏极电极、基底层、第一源极接触与第二源极接触、第一与第二栅极电极、栅极连接结构以及栅极绝缘层。第一与第二栅极电极位在第一与第二源极接触之间。栅极绝缘层包围第一与第二栅极电极以及栅极连接结构。栅极绝缘层包含位在第一与第二栅极电极...
该专利属于鸿扬半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过鸿扬半导体股份有限公司授权不得商用。

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