【技术实现步骤摘要】
本揭露是有关于一种半导体结构及半导体结构的制造方法。
技术介绍
1、碳化硅(sic)是一种特殊的半导体材料，其具有宽频隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点，适合用来制作高温、高压、高功率、耐辐照等半导体装置。虽然碳化硅材料拥有许多优点，但碳化硅材料中常存在着大量的缺陷，例如基平面位错(basal plane dislocation，bpd)，这些缺陷会进一步由基板延伸至磊晶层，造成半导体装置的反向漏电流增加或者击穿电压降低，导致半导体装置的可靠度降低。相较于bpd，由于贯通刃状位错(threading edge dislocation，ted)对半导体装置的性能影响较小，因此如何提高碳化硅磊晶生长过程中bpd转换为ted的比例，阻止基板中的bpd向磊晶层中延伸，对于提高半导体装置的性能是十分重要的。
技术实现思路
1、根据本揭露的一个或多个实施方式，半导体结构包括碳化硅基板及磊晶层。碳化硅基板的顶面具有多个凹部，每一个凹部的最底部具有相连接的第一斜面及第二斜面，且第一斜...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个凹部的最大宽度的平均值为5微米至35微米。
3.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其中所述碱性物质为氢氧化钾、氢氧化钠、四甲基氢氧化铵或其组合。
5.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其中以所述碱性蚀刻液的总重量计，所述碱性物质的重量为80wt％至90wt％。
6.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其中所述多个二氧化硅颗粒的平均粒径为70纳米至80纳
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【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述多个凹部的最大宽度的平均值为5微米至35微米。
3.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：
4.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其中所述碱性物质为氢氧化钾、氢氧化钠、四甲基氢氧化铵或其组合。
5.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其中以所述碱性蚀刻液的总重量计，所述碱性物质的重量为80wt％至90wt％。
6.根据权利要求3所述的半导体结构的制造方法，其中所述多个二氧...
【专利技术属性】
技术研发人员：颜弘昕，陈金泓，
申请(专利权)人：鸿扬半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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