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一种半导体结构包括碳化硅基板及磊晶层。碳化硅基板的顶面具有多个凹部，每一个凹部的最底部具有相连接的第一斜面及第二斜面，且第一斜面与第二斜面的夹角为88度至92度。磊晶层设置在碳化硅基板的顶面上。通过在进行碳化硅磊晶前，对碳化硅基板进行前处理...
该专利属于鸿扬半导体股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过鸿扬半导体股份有限公司授权不得商用。

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