【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制造，尤其涉及一种半导体结构的形成方法。
技术介绍
1、随着半导体技术的快速发展，芯片的集成度也随之不断提高，使得芯片的制作工艺日趋复杂，工艺窗口越来越小。为提高成品率，对整个芯片加工工艺流程和装置设备的要求就会更加严格，对图案尺寸的波动范围的要求也越来越严苛。
2、在一种半导体结构的形成工艺中，在湿法刻蚀后形成的图案的尺寸波动性大，导致晶圆的放行通过率下降，影响生产效率和生产成本，甚至产生良率损失。
3、亟需一种半导体结构的形成方法，能够提高分立图案的尺寸的准确性和一致性。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体结构的形成方法，可以通过增加第二湿法刻蚀提高得到的分立图案的尺寸的准确性和一致性。
2、为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，在所述衬底上形成分立图案，所述分立图案的实际特征尺寸大于标准特征尺寸，所述标准特征尺寸为所述分立图案符合标准工艺规格的标准值的尺寸；测量...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底上形成分立图案之前，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述分立图案进行两轮或两轮以上去除；
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，每轮去除工艺中的去除时长均为前一轮去除工艺中的去除时长的30％～100％。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，自第二轮去除工艺起的各轮去除工艺中的去除时长保持一致。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，
7.根据权利要求2所...
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述衬底上形成分立图案之前，所述方法还包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对所述分立图案进行两轮或两轮以上去除；
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，每轮去除工艺中的去除时长均为前一轮去除工艺中的去除时长的30％～100％。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，自第二轮去除工艺起的各轮去除工艺中的去除时...
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