【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体地涉及一种外延层电阻率的检测方法以及半导体结构。
技术介绍
1、根据摩尔定律，集成电路特征尺寸每18个月将减少30％。为了改善器件性能，通常采用减小金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor，简称mosfet)器件沟道长度、栅氧化层厚度减薄等方法实现。而在到达28nm技术节点时，会有短沟道效应、载流子迁移率过慢等问题，器件的性能降低很难满足集成电路技术的发展。
2、掺杂工艺是半导体制造的一种常用工艺，为了监控离子的掺杂浓度是否符合预期，目前业界主要通过四探针测试仪量测外延层的电阻率来反映外延层中的掺杂浓度。但是，这样的测试方式容易受到外界因素干扰，影响监控准确性。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是如何减轻甚至避免外界因素对电阻率检测结果的干扰，以精确监控外延层的掺杂浓度。
2、为解决上述技术问题，本专利技术实施例提供一种...
【技术保护点】
1.一种外延层电阻率的检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，在所述晶圆表面生长外延层的步骤，以及采用外延工艺在所述外延层表面形成隔离层的步骤，在同一工艺腔室和减压环境内完成。
3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，在所述晶圆表面生长外延层的步骤中，以及采用外延工艺在所述外延层表面形成隔离层的步骤中采用的工艺参数满足以下至少一项：源包括硅源和锗源；载气包括氢气；温度取值自600至800℃；压力取值自10至20托；掺杂剂的浓度为18至22标准立方米每分钟；在所述晶圆表面生长外延层的步骤的反应时间取值自2...
【技术特征摘要】
1.一种外延层电阻率的检测方法，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，在所述晶圆表面生长外延层的步骤，以及采用外延工艺在所述外延层表面形成隔离层的步骤，在同一工艺腔室和减压环境内完成。
3.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，在所述晶圆表面生长外延层的步骤中，以及采用外延工艺在所述外延层表面形成隔离层的步骤中采用的工艺参数满足以下至少一项：源包括硅源和锗源；载气包括氢气；温度取值自600至800℃；压力取值自10至20托；掺杂剂的浓度为18至22标准立方米每分钟；在所述晶圆表面生长外延层的步骤的反应时间取值自250至350秒；以及，采用外延工艺在所述外延层表面形成隔离层的步骤的反应时间取值自25至35秒。
4.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，采用四探针...
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