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一种外延层电阻率的检测方法以及半导体结构，所述方法包括：提供晶圆；在所述晶圆表面生长外延层，其中，所述外延层中掺杂有第一导电类型离子；采用外延工艺在所述外延层表面形成隔离层；检测所述外延层的电阻率。通过本公开方案能够减轻甚至避免外界因素对电...
该专利属于上海光通信有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海光通信有限公司授权不得商用。

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