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一种半导体结构的形成方法，所述方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成分立图案，所述分立图案的实际特征尺寸大于标准特征尺寸，所述标准特征尺寸为所述分立图案符合标准工艺规格的标准值的尺寸；测量所述分立图案的实际特征尺寸，获取所述实际特征尺寸与所述...
该专利属于上海光通信有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海光通信有限公司授权不得商用。

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