【技术实现步骤摘要】
本揭露的一些实施方式是关于一种半导体装置与修复晶圆的方法。
技术介绍
1、碳化硅元件为常见的半导体元件之一，其具有高能隙、高导热系数与高崩溃电场的优势。碳化硅元件的电阻可由元件中的多个部分的电阻组成，例如触点、通道、栅极、接面场效应晶体管区、基板的阻值。其中，为了降低基板的阻值，可在晶圆正面形成集成电路之后，接着研磨晶圆的背面以减少晶圆的厚度。然而，在研磨晶圆时可能造成晶圆翘曲的问题，而不利于晶圆的后续工艺。
技术实现思路
1、本揭露的一些实施方式提供一种修复晶圆的方法，包含研磨晶圆，以在晶圆的表面形成损伤层，执行第一退火工艺，以将损伤层的下部转换成再生长层，且再生长层在晶圆上，在损伤层上形成金属层，以及执行第二退火工艺，以将损伤层与金属层转换成合金层，且合金层在再生长层上。
2、在一些实施方式中，第一退火工艺为紫外线激光退火工艺。
3、在一些实施方式中，晶圆具有第一结晶结构，该再生长层具有第二结晶结构，第一结晶结构与第二结晶结构不同。
4、在一些实施方...
【技术保护点】
1.一种修复晶圆的方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一退火工艺为紫外线激光退火工艺。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该晶圆具有第一结晶结构，该再生长层具有第二结晶结构，该第一结晶结构与该第二结晶结构不同。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一退火工艺的温度介于摄氏900至1300度。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中在执行该第二退火工艺时，该损伤层的一部分未被转换成该合金层，且在执行该第二退火工艺之后，该损伤层的该部分在该合金层与该再
...【技术特征摘要】
1.一种修复晶圆的方法，其特征在于，包含：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一退火工艺为紫外线激光退火工艺。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该晶圆具有第一结晶结构，该再生长层具有第二结晶结构，该第一结晶结构与该第二结晶结构不同。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中该第一退火工艺的温度介于摄氏900至1300度。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，其中在执行该第二退火工艺时，该损伤层的一部分未被转换成该合金层，且在执行该第二退火工艺之后，该损伤层的该部...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴俊明，周群渊，
申请(专利权)人：鸿扬半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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