半导体低电阻率欧姆接触结构及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种半导体低电阻率欧姆接触结构及其制备方法，半导体低电阻率欧姆接触结构包括：半导体表面层以及形成于半导体表面层上的金属接触层，金属接触层包括依次层叠的第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层；第一金属层深入半导体表面层的表面，形成低阻接触；第二金属层用于合金形成的促进剂以及提高附着力；第三金属层用于内外层之间的阻挡层；第四金属层用于保护内层金属以及为引线提供低阻的接触点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体，具体地涉及一种半导体低电阻率欧姆接触结构及其制备方法。

技术介绍

1、低阻的欧姆接触在多种半导体光电子器件与微电子器件中有重要意义，实现低阻欧姆接触有助于降低器件运行功耗，优化器件电学性能；作为一种窄禁带半导体材料，ingaas材料在重掺杂后可以作为良好的金属-半导体接触的半导体表面层；然而现有的金属体系在n型ingaas半导体表面形成的欧姆接触，其比接触电阻率多为10-5~10-6量级（单位为ω·cm2，下同），少数逼近10-7量级的接触体系往往需要使用分子束外延设备、原位生长沉积金属等严苛的实验室条件，不利于实现大批量工业生产；且现有合金金属体系中，较高的合金温度往往对需求低阻欧姆接触的半导体器件的其他性能有所损害。

技术实现思路

1、鉴于上述问题，本专利技术提供了一种半导体低电阻率欧姆接触结构及其制备方法，在半导体表面实现低阻欧姆接触的接触层结构及其相应的制造工艺，工艺条件窗口较宽，工艺制备方法具有较好的重复性和稳定性。

2、根据本专利技术实施例的第一方面提供了一种半导本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体低电阻率欧姆接触结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体低电阻率欧姆接触结构，其特征在于，所述半导体表面层包括掺杂Si的InGaAs的n型半导体表面层。

3.根据权利要求1所述的半导体低电阻率欧姆接触结构，其特征在于，所述第一金属层的材料包括Ti，所述第二金属层的材料包括Al，所述第三金属层的材料包括Ni，所述第四金属层的材料包括Au。

4.根据权利要求1或3所述的半导体低电阻率欧姆接触结构，其特征在于，所述第一金属层的厚度为25nm~40nm，所述第二金属层的厚度为200nm~400nm，第三金属层的厚度为30nm~50...

【技术特征摘要】

1.一种半导体低电阻率欧姆接触结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体低电阻率欧姆接触结构，其特征在于，所述半导体表面层包括掺杂si的ingaas的n型半导体表面层。

3.根据权利要求1所述的半导体低电阻率欧姆接触结构，其特征在于，所述第一金属层的材料包括ti，所述第二金属层的材料包括al，所述第三金属层的材料包括ni，所述第四金属层的材料包括au。

4.根据权利要求1或3所述的半导体低电阻率欧姆接触结构，其特征在于，所述第一金属层的厚度为25nm~40nm，所述第二金属层的厚度为200nm~400nm，第三金属层的厚度为30nm~50nm，第四金属层的厚度为30nm~60nm。

5.一种制备方法，用于制备权利要求1-4...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈平，苗裕田，徐国印，仲莉，薛春来，
申请(专利权)人：中国科学院半导体研究所，
类型：发明
国别省市：