【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造，尤其涉及一种改善外延晶圆品质的方法、装置，及外延晶圆和其制造方法。
技术介绍
1、由半导体构成的硅晶圆在半导体器件的制造工序中被广泛地用作基板。常见的有抛光晶圆和外延晶圆。抛光晶圆由对单晶锭进行切片并进行镜面研磨、清洗等流程而制成。在抛光晶圆表面通过化学气相沉积等方式形成单晶硅外延层从而制成外延晶圆。
2、随着半导体工艺的不断发展，对于硅晶圆的品质要求越来越严格。就外延晶圆而言，外延层表面缺陷是影响外延晶圆品质的关键因素。在外延层的表面缺陷中，一部分的表面缺陷来自于外延工艺过程，因此，降低外延工艺过程中所产生的外延层表面缺陷，能够提高外延晶圆的品质。
技术实现思路
1、本公开提供了一种改善外延晶圆品质的方法、装置，及外延晶圆和其制造方法；能够降低外延工艺过程中由接触部件所产生的表面缺陷，提高外延晶圆的品质。
2、本公开的技术方案是这样实现的：
3、第一方面，本公开提供了一种改善外延晶圆品质的方法，所述方法包括：
4、将外...
【技术保护点】
1.一种改善外延晶圆品质的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述第一表面缺陷的形貌和类型以及所述外延晶圆的外延层厚度，确定所述接触部件的改善手段以降低所述第一表面缺陷的数量，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述接触部件为布设于所述外延工艺设备中的机器人的机械手；相应地，所述根据所述第二表面缺陷尺寸确定所述接触部件的改善手段以降低所述第一表面缺陷的数量，包括：
4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述第一表面缺陷的形貌和类型至少包括：
5.根据...
【技术特征摘要】
1.一种改善外延晶圆品质的方法，其特征在于，所述方法包括：
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述第一表面缺陷的形貌和类型以及所述外延晶圆的外延层厚度，确定所述接触部件的改善手段以降低所述第一表面缺陷的数量，包括：
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述接触部件为布设于所述外延工艺设备中的机器人的机械手；相应地，所述根据所述第二表面缺陷尺寸确定所述接触部件的改善手段以降低所述第一表面缺陷的数量，包括：
4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，所述第一表面缺陷的形貌和类型至少包括：
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将外延晶圆的表面缺陷的位置与外延工艺设备中的接触部件的接触位置进行匹配，获得与所述接触部件的接...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁鹏欢，
申请(专利权)人：西安奕斯伟材料科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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