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多波长激光芯片以及多波长激光芯片的制备方法技术

技术编号:44726131 阅读:17 留言:0更新日期:2025-03-21 17:51
本发明专利技术提供一种多波长激光芯片以及多波长激光芯片的制备方法,涉及激光技术领域。其中,多波长激光芯片包括:多个激光单元,每一个激光单元包括:微型光学谐振腔;耦合在微型光学谐振腔表面的稀土增益材料层;其中,微型光学谐振腔的谐振模式与稀土增益材料层的光学增益谱线中的一种预设波长匹配;其中,当泵浦光照射到任一激光单元的稀土增益材料层时,激光单元的稀土增益材料层发射出宽谱荧光,宽谱荧光中,与激光单元的微型光学谐振腔的谐振模式匹配的预设波长的荧光,在激光单元的微型光学谐振腔的谐振和选模作用下,被加强产生预设波长的激光。本发明专利技术可以提供一种高性能、高稳定性的1.5μm纳米多波长激光芯片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及激光,尤其涉及一种多波长激光芯片以及多波长激光芯片的制备方法


技术介绍

1、1.5 μm波长范围内的激光因其独特的优势,在光通信、生物医学成像、环境监测以及军事应用等多个关键领域展现出了巨大的应用潜力。在光通信领域,该波段激光以其低损耗和高传输效率的特性,成为了实现高速、长距离光通信不可或缺的技术基石。同时,在生物医学成像方面,1.5 μm激光凭借其较深的穿透能力和较低的组织损伤特性,为非侵入性成像和治疗提供了有力支持。此外,这一波段的激光在环境监测和军事应用中,也因其高探测灵敏度和出色的抗干扰能力,而能够实现高精度的目标识别和跟踪。

2、近年来,稀土增益材料,特别是铒(er)材料,因其高效的光学增益和良好的发光稳定性而备受关注。这类材料能够抵抗环境因素的影响,为1.5 μm激光的产生提供了新的可能。尽管如此,目前基于掺铒材料的激光器仍面临单位长度上光学净增益不足的问题,导致器件尺寸过大,且制备工艺复杂,难以实现片上集成和大规模生产。同时,现有微盘腔多基于无源材料构建,这不仅增大了器件的尺寸,还限制了光场的强局域化和高效耦合。<本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种激光单元,其特征在于,包括:

2.一种多波长激光芯片,其特征在于,包括:

3.根据权利要求2所述的多波长激光芯片,其特征在于,所述稀土增益材料层由铒化合物纳米材料构成。

4.一种多波长激光芯片的制备方法,其特征在于,所述方法用于制造如权利要求2所述的多波长激光芯片,所述方法包括:

5.根据权利要求4所述的多波长激光芯片的制备方法,其特征在于,所述微型光学谐振腔包括微环形状和微盘形状中的一种或者多种。

6.根据权利要求4或者5所述的多波长激光芯片的制备方法,其特征在于,所述稀土增益材料层由铒化合物纳米材料构成。

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【技术特征摘要】

1.一种激光单元,其特征在于,包括:

2.一种多波长激光芯片,其特征在于,包括:

3.根据权利要求2所述的多波长激光芯片,其特征在于,所述稀土增益材料层由铒化合物纳米材料构成。

4.一种多波长激光芯片的制备方法,其特征在于,所述方法用于制造如权利要求2所述的多波长激光芯片,所述方法包括:

5.根据权利要求4所述的多波长激光芯片的制备方法,其特征在于,所述微型光学谐振腔包括微环形状和微盘形状中的一种或者多种。

6.根据权利要求4或者5所述的多波长激光芯...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙皓姚世鹏吴金华甯存政李永卓侯彰钰
申请(专利权)人:清华大学
类型:发明
国别省市:

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