激光单元、阵列激光芯片以及阵列激光芯片的制备方法技术

本发明专利技术提供一种激光单元、阵列激光芯片以及阵列激光芯片的制备方法，涉及激光技术领域。其中，阵列激光芯片的制备方法包括：生成衬底；其中，衬底对稀土增益材料的增益谱线波段内的光透明；基于衬底，利用电子束光刻技术，刻蚀得到多个光子晶体微腔；其中，多个光子晶体微腔中，至少一个光子晶体微腔的谐振模式与其他光子晶体微腔不同；利用微纳材料转移技术，将稀土增益材料转移到每一个光子晶体微腔的表面，在每一个光子晶体微腔的表面形成稀土增益材料层。本发明专利技术可以有效利用稀土增益材料的光学性质，提供一种高性能、高稳定性的1.5μm波段的阵列激光芯片。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及激光，尤其涉及一种激光单元、阵列激光芯片以及阵列激光芯片的制备方法。

技术介绍

1、激光技术作为现代科技的关键组成部分，在通信、医疗、工业加工等多个领域都发挥着举足轻重的作用。而激光芯片作为激光技术的核心组件，其性能优劣直接关系到整个激光系统的效率和稳定性。

2、近年来，二维半导体材料在纳米激光领域虽然取得了一定研究成果，但仍面临制备工艺复杂、稳定性欠佳以及发光效率不足等挑战。在此背景下，稀土元素，尤其是铒元素，因其独特的光学特性而备受瞩目。铒元素在980纳米泵浦光激发下，能在1.5微米波段产生高效的光学增益，且发光稳定，对环境因素具有良好的抵抗性，为纳米激光的发展开辟了新路径。然而，传统掺铒材料虽然制备工艺相对简单，但光增益受限，导致器件尺寸较大，难以满足日益增长的片上集成需求。

3、因此，如何有效利用稀土增益材料的光学性质，提供一种高性能、高稳定性的1.5μm波段的阵列激光芯片，是亟待解决的技术问题。

技术实现思路

1、针对现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供一种本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种激光单元，其特征在于，包括：

2.一种阵列激光芯片，其特征在于，包括：

3.根据权利要求2所述的阵列激光芯片，其特征在于，所述稀土增益材料层由铒化合物纳米材料构成。

4.一种阵列激光芯片的制备方法，其特征在于，所述方法用于制造如权利要求2所述的阵列激光芯片，所述方法包括：

5.根据权利要求4所述的阵列激光芯片的制备方法，其特征在于，所述稀土增益材料层由铒化合物纳米材料构成。

6.根据权利要求5所述的阵列激光芯片的制备方法，其特征在于，所述利用微纳材料转移技术，将稀土增益材料转移到每一个所述光子晶体微腔的表面，在每一个所述...

【技术特征摘要】

1.一种激光单元，其特征在于，包括：

2.一种阵列激光芯片，其特征在于，包括：

3.根据权利要求2所述的阵列激光芯片，其特征在于，所述稀土增益材料层由铒化合物纳米材料构成。

4.一种阵列激光芯片的制备方法，其特征在于，所述方法用于制造如权利要求2所述的阵列激光芯片，所述方法包括：

5.根据权利要求4所述的阵列激光芯片的制备方法，其特征在于，所述稀土增益材料层由铒化合物纳米材料构成。

6.根据权利要求5所述的阵列激光芯片的制备方法，其特征在于，所述利用微纳材料转移技术，将稀土增益材料转移到每一个所述光...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙皓，姚世鹏，甘霖，吴金华，李永卓，甯存政，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：