一种背接触电池和光伏组件制造技术

本发明专利技术公开了一种背接触电池和光伏组件，涉及光伏技术领域，以提高背接触电池的制造效率，增加背接触电池的制造产能，降低电池的漏电风险。所述背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂硅层和第二掺杂硅层。半导体基底包括相对的第一面和第二面。第一面具有间隔分布的第一区域和第二区域、以及位于第一区域和第二区域之间的间隔区域。第一区域在第一面中的面积占比大于等于50％、且小于等于60％。第一掺杂硅层设置在第一区域上。第一掺杂硅层的材料包括多晶硅和/或单晶硅。第二掺杂硅层设置在第二区域上。第二掺杂硅层的导电类型与第一掺杂硅层的导电类型相反。第一掺杂硅层对应的消光系数大于第二掺杂硅层对应的消光系数。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光伏，尤其涉及一种背接触电池和光伏组件。

技术介绍

1、太阳能电池是一种能够将太阳的光能转化为电能的装置。其中，正电极和负电极都处于电池的背面的太阳能电池为背接触电池。与双面接触太阳能电池相比，该背接触电池的正面没有金属电极的遮挡，使得背接触电池的向光面一侧具有更高的光线利用率，因此背接触电池具有更高的短路电流和光电转换效率，是目前实现高效晶体硅电池的技术方向之一。

2、但是，现有的背接触电池的制造效率较低，不利于提高背接触电池的产能。

技术实现思路

1、本专利技术的目的在于提供一种背接触电池和光伏组件，用于提高背接触电池的制造效率，增加背接触电池的制造产能，降低电池的漏电风险。

2、为了实现上述目的，第一方面，本专利技术提供了一种背接触电池，该背接触电池包括：半导体基底、第一掺杂硅层和第二掺杂硅层。半导体基底包括相对的第一面和第二面。第一面具有间隔分布的第一区域和第二区域、以及位于第一区域和第二区域之间的间隔区域。第一区域在第一面中的面积占比大于等于50％、且小于等于6本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种背接触电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述第二区域在所述第一面中的面积占比大于等于20％、且小于等于35％；

3.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述第一掺杂硅层包括P型掺杂多晶硅层，所述P型掺杂多晶硅层的消光系数大于等于0.01、且小于等于1.5；

4.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述第二掺杂硅层的晶化程度大于所述第一掺杂硅层的晶化程度。

5.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述第一区域和所述间隔区域的面积之和为S1，所述第二区域和所述间隔区域的面积...

【技术特征摘要】

1.一种背接触电池，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述第二区域在所述第一面中的面积占比大于等于20％、且小于等于35％；

3.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述第一掺杂硅层包括p型掺杂多晶硅层，所述p型掺杂多晶硅层的消光系数大于等于0.01、且小于等于1.5；

4.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述第二掺杂硅层的晶化程度大于所述第一掺杂硅层的晶化程度。

5.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述第一区域和所述间隔区域的面积之和为s1，所述第二区域和所述间隔区域的面积之和为s2，s1和s2之间的比值大于1、且小于2；

6.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，一个所述第一区域和一个所述间隔区域的宽度之和为w3，一个所述第二区域和一个所述间隔区域的宽度之和为w4，w3和w4之间的比值，大于s1和s2之间的比值。

7.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，位于所述第一区域上的所述第一掺杂硅层的宽高比大于位于所述第二区域上的所述第二掺杂硅层的宽高比。

8.根据权利要求1所述的背接触电池，其特征在于，所述背接触电池还包括设置在所述第一掺杂硅层上的多个第一集电电极，每个所述第一集电电极与所述第一掺杂硅层欧姆接触；多个所述第一集电电极沿第一方向延伸、且沿第二方向间隔分布，所述第一方向不同于所述第二方向；

9.根据权利要求8所述的背...

【专利技术属性】
技术研发人员：童洪波，刘畅，邓圣杰，张博越，於龙，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：